SIS412DN-T1-GE3-VB：N沟道30V MOSFET，适用于笔记本电脑电源

"SIS412DN-T1-GE3-VB是一款N沟道MOSFET，由DFN8（3x3）封装的2个晶体管组成，适用于笔记本电脑系统电源和负载开关等应用。该器件具有无卤素、TrenchFET功率MOSFET技术以及100%栅极电阻测试等特点。" SIS412DN-T1-GE3-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要特性包括： 1. **无卤素**：根据IEC61249-2-21标准，这款MOSFET不含卤素，符合环保要求。 2. **TrenchFET技术**：采用TrenchFET设计，这种技术通过在硅片上蚀刻出深沟槽结构，降低了电阻，提高了开关速度和能效，减小了封装尺寸。 3. **100%栅极电阻测试**：确保每个器件的栅极电阻性能稳定，提供可靠的开关性能。 在应用方面，SIS412DN-T1-GE3-VB主要用于： - **笔记本电脑系统电源**：作为电源管理的一部分，它可能用于控制电源通断或电压调节。 - **负载开关**：适合于高效率的电源切换，如设备的待机模式切换。 产品参数如下： - **额定漏源电压**（VDS）：30V，这是MOSFET在正常工作时允许的最大电压。 - **开启电阻**（RDS(on)）：在VGS=10V时为0.021Ω，在VGS=4.5V时为0.025Ω，低的RDS(on)意味着更低的导通损耗。 - **连续漏电流**（ID）：在不同温度下有不同的最大值，如TJ=150°C时为18A，TJ=70°C时为7A。 - **脉冲漏电流**（IDM）：最大值为35A，用于瞬时大电流的处理能力。 - **连续源漏二极管电流**（IS）：在25°C时为12A，表明MOSFET内部集成的体二极管可以承受的连续反向电流。 - **单脉冲雪崩电流**（IAS）：在L=0.1mH时为5A，表示器件在雪崩条件下的安全工作能力。 - **单脉冲雪崩能量**（EAS）：1.25mJ，是MOSFET能够承受的最大雪崩能量，防止器件损坏。 - **最大功耗**（PD）：在不同温度下有所不同，如25°C时为15.6W，70°C时为2W，决定了器件的工作热限制。 此外，这款MOSFET的绝对最大额定值还包括栅源电压（±20V）、操作和存储的结温等，确保了在各种工作条件下的稳定性。注意，对于无引脚的组件，不建议使用烙铁进行手动再流焊接，以避免潜在的损坏风险。