"ELM14801AA-VB是一款由VBsemi生产的SOP8封装双P-Channel场效应MOSFET,适用于负载开关等应用。它采用TrenchFET技术,具有低RDS(ON)、无卤素、100%UIS测试等特点。"
ELM14801AA-VB是VBsemi公司设计的一款双P-Channel MOSFET,封装形式为SOP8。这款MOSFET的主要特点是采用了TrenchFET技术,这种技术通过在硅片上挖槽来减小沟道电阻,从而提高开关性能和效率。此外,该器件满足无卤素的要求,这使得它对环境友好,适用于需要符合RoHS标准的产品。
关键规格包括:
- 最大漏源电压(VDS):-30V,这意味着它可以承受高达30V的电压差。
- RDS(ON)在VGS = -10V时为35mΩ,而在VGS = -20V时为45mΩ,这表示在这些栅极电压下MOSFET的导通电阻较低,意味着在导通状态下的功率损耗较小。
- 持续漏极电流(ID):在25°C时最大可达到-7.3A,但随着温度升高,ID会相应减少。
- 总栅极电荷(Qg):在典型条件下,Qg在VGS = -10V时为17nC,在VGS = -4.5V时为45nC,这是影响开关速度的一个重要因素。
- 栅极源电压(VGS)的最大值为±20V,确保了器件的正常工作范围。
该器件适用于负载开关应用,这可能包括电源管理、电池保护、电机控制等领域。其低RDS(ON)和小封装尺寸使其适合在需要高效能、小体积的电路中使用。
绝对最大额定值在25°C条件下包括:
- 漏源电压(VDS):-30V
- 栅源电压(VGS):±20V
- 连续漏极电流(ID):在不同温度下有所不同,最高可达-7.3A
- 冲击漏极电流(DM):取决于温度和持续时间
- 持续源漏二极管电流(IS):-4.1A至-2.0A
- 单脉冲雪崩能量(AS):20mJ
热特性方面,包括结到外壳的热阻(θJA)和结到板的热阻(θJC),这些参数影响MOSFET的散热能力。在不同温度下,器件的最大功率耗散(PD)也会变化,以防止过热。
总结来说,ELM14801AA-VB是一款高性能、低功耗的双P-Channel MOSFET,适用于需要高开关效率和紧凑封装的应用。其特性如低RDS(ON)和无卤素设计,以及严格的测试标准,使其成为电源管理和其他电子设备的理想选择。