SUD50P06-15-GE3 MOSFET技术规格与应用

"SUD50P06-15-GE3是一款由Vishay公司生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOT23-3封装，适用于电源开关等应用。其关键特性包括低导通电阻（RDS(ON)）和耐压能力。" 这款SUD50P06-15-GE3 MOSFET是一款TrenchFET PowerMOSFET，设计有沟槽结构，能够提供高效的开关性能和良好的热稳定性。它的工作电压（VDS）为-60V，这意味着它可以承受高达60V的源极到漏极电压。其最大连续漏极电流（ID）在不同温度下有所不同，在25°C时可达到-50A，而在125°C时则降低到-40A。此外，该MOSFET的栅极源极电压（VGS）额定值为±20V。 在电气特性方面，RDS(ON)是衡量MOSFET导通状态下的电阻的关键参数，直接影响开关损耗。在VGS = -10V时，RDS(ON)为20mΩ，而当VGS = -4.5V时，这一值上升至25mΩ。较低的RDS(ON)意味着更低的功耗和更高的效率，特别是在高电流应用中。 这款器件还具有明确的绝对最大额定值，例如脉冲漏极电流IDM可达-160A，单脉冲雪崩能量EAS为125mJ，这些指标确保了其在极端条件下的稳定性。此外，它的功率耗散（PD）在25°C时为113W，但会随着环境温度的升高而降低。 热特性方面，MOSFET的结壳热阻RthJC为0.82至1.1°C/W，而结到环境的热阻RthJA为15至18°C/W。这些数值反映了器件在散热方面的表现，对于选择适当的散热方案至关重要。 SUD50P06-15-GE3适合用于轻载开关、电池管理系统、马达驱动以及需要低功耗和高效能转换的应用。值得注意的是，由于其低RDS(ON)，它特别适合在需要频繁开关和低损耗的电路中使用。然而，实际应用时必须遵守其工作条件，例如脉冲工作周期不超过1%，并确保适当的散热以防止过热。 SUD50P06-15-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET，适用于对效率和尺寸有严格要求的电源管理应用。用户在设计电路时，应考虑其电气参数、热特性以及工作环境，以确保可靠性和长期稳定性。