SUD50P06-15L-GE3 MOSFET:特性、应用与极限参数解析
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更新于2024-08-03
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本文档详细介绍了SUD50P06-15L-GE3型号的P沟道60V耐压MOSFET,它是一款基于TrenchFET®技术的高性能功率MOS场效应晶体管。该器件的特点包括:
1. **结构特点**:
- TrenchFET设计提供了优秀的开关性能和低导通电阻(RDS(on))。
2. **电气特性**:
- 最大漏源电压(VDS)可达-60V,保证了宽广的工作范围。
- 在不同栅极电压下,RDS(on)值显著变化,如在-10V VGS时为20mΩ,而在-4.5V VGS时为25mΩ。
- 提供了连续和脉冲工作条件下的电流限制,如连续 Drain Current(ID)在25°C下最大为-50A,而在125°C下略有下降。
- 有内置的安全措施,如单脉冲雪崩电流(EAS)和最大单次脉冲能量。
3. **封装和尺寸**:
- 使用TO252封装,适合小型电路板安装,但需注意在1"方PCB(FR-4材料)上使用时的负载循环限制(不超过1%)。
4. **温度范围**:
- 工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,包括操作和储存温度限制。
- 提供了热阻值,如Junction-to-Ambient(环境到晶闸管结)典型和最大值分别为15°C/W和18°C/W。
5. **功率处理能力**:
- 功率消耗在正常条件下为113W,在25°C下,但在长时间操作时,应参考散热情况。
6. **安全和注意事项**:
- 安装时需参考SOA曲线以了解电压降信息,避免过载和过热。
- 建议在指定的电源电压和工作条件下使用,并考虑包装限制。
这款SUD50P06-15L-GE3 MOSFET适用于多种应用,如负载开关,特别是在需要高耐压、低导通损耗和紧凑封装的场合。用户在使用时应充分理解其限制和参数,确保在设计中考虑适当的安全裕度和散热策略。对于更深入的技术支持和购买,可联系VBsemi提供的客户服务热线400-655-8788。
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