SUD50P06-15L-GE3 MOSFET：特性、应用与极限参数解析

本文档详细介绍了SUD50P06-15L-GE3型号的P沟道60V耐压MOSFET，它是一款基于TrenchFET®技术的高性能功率MOS场效应晶体管。该器件的特点包括： 1. **结构特点**： - TrenchFET设计提供了优秀的开关性能和低导通电阻（RDS(on)）。 2. **电气特性**： - 最大漏源电压（VDS）可达-60V，保证了宽广的工作范围。 - 在不同栅极电压下，RDS(on)值显著变化，如在-10V VGS时为20mΩ，而在-4.5V VGS时为25mΩ。 - 提供了连续和脉冲工作条件下的电流限制，如连续 Drain Current（ID）在25°C下最大为-50A，而在125°C下略有下降。 - 有内置的安全措施，如单脉冲雪崩电流（EAS）和最大单次脉冲能量。 3. **封装和尺寸**： - 使用TO252封装，适合小型电路板安装，但需注意在1"方PCB（FR-4材料）上使用时的负载循环限制（不超过1%）。 4. **温度范围**： - 工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，包括操作和储存温度限制。 - 提供了热阻值，如Junction-to-Ambient（环境到晶闸管结）典型和最大值分别为15°C/W和18°C/W。 5. **功率处理能力**： - 功率消耗在正常条件下为113W，在25°C下，但在长时间操作时，应参考散热情况。 6. **安全和注意事项**： - 安装时需参考SOA曲线以了解电压降信息，避免过载和过热。 - 建议在指定的电源电压和工作条件下使用，并考虑包装限制。 这款SUD50P06-15L-GE3 MOSFET适用于多种应用，如负载开关，特别是在需要高耐压、低导通损耗和紧凑封装的场合。用户在使用时应充分理解其限制和参数，确保在设计中考虑适当的安全裕度和散热策略。对于更深入的技术支持和购买，可联系VBsemi提供的客户服务热线400-655-8788。