英飞凌INFINEON IPT012N08N5 80V MOSFET功率晶体管规格书（中文版）

英飞凌的IPT012N08N5是一款专为高频率开关和同步记录设计的OptiMOSTM 5功率晶体管，它在80伏特电压下工作。这款器件具有显著的技术优势，如低栅极到源极漏电流（RDS(on)）和出色的栅极充电乘以漏电流（FOM）产品，这使得它在开关效率和电路设计中表现出色。它的最大漏源电压（VDS）可达80伏，极限状态下的漏电流（RDS(on),max）为1.2毫欧姆（mΩ），这意味着在高电流量时能保持低阻抗。 IPT012N08N5是N通道的，采用正常级驱动，确保了良好的驱动性能。此外，它已经通过了100%的雪崩测试，符合JEDEC标准（J-STD20和JESD22），保证了其在目标应用中的可靠性和稳定性。在环保方面，该器件采用了无铅镀层，并符合RoHS规范，同时根据IEC 61249-2-21标准，是无卤素的，降低了对环境的影响。 参数表中详细列出了关键性能指标，如最大持续导通电流（ID）为300安培（A），关断电荷（Qoss）为208纳库仑（nC），以及在不同栅极电压下的栅极电荷（QG）。封装形式为PG-HSOF-8-1，型号代码为012N08N5，而产品上可能没有额外的标记。 最后，此规格书提供了完整的内容结构，包括描述、特点、性能参数、封装信息、合格证信息、订购代码、以及相关的链接，以便用户更好地理解和应用这款高性能的英飞凌晶体管在他们的设计中。如果你正在寻找用于高频电源管理或需要满足特定性能需求的应用，IPT012N08N5是一个值得考虑的选择。