CEB50P03-VB: 30V P沟道TO263封装MOSFET特性与应用

CEB50P03-VB是一种P沟道TO263封装的MOSFET，它采用先进的TrenchFET®技术，是一款低功耗、高效率的开关元件。该MOSFET的主要特点包括： 1. **环保设计**：CEB50P03-VB不含卤素，符合现代电子设备对环保材料的需求。 2. **TrenchFET结构**：采用沟槽场效应晶体管（TrenchFET）结构，有助于降低漏电流，提高开关速度和热稳定性。 3. **严格的测试标准**：100%的Rg（栅极电阻）和UISTest（输入导通时间）测试确保了元件性能的一致性和可靠性。 4. **应用范围广泛**：适用于负载开关、笔记本适配器开关等场合，特别适合表面安装在1"x1" FR4板上。 5. **电气参数**： - 驱动电压（VDS）范围：-30V到-75V。 - 集电极-源极（RDS(on)）电阻：在不同条件下，从0.008Ω（VGS=-10V）到56nΩ（VGS=-4.5V）。 - 持续集电极电流（ID）：-75A（TJ=150°C），随着温度变化有所调整。 - 单脉冲雪崩电流（IAS）和单脉冲雪崩能量（EAS）分别为-75A和280mJ。 6. **功率处理能力**：最大功率耗散（PD）为250W（TJ=25°C），但在不同温度下有所限制。 7. **温度特性**： - 运行和储存温度范围：-55°C至150°C。 - 热阻参数：提供典型和最大值，用于评估器件在不同条件下的散热性能。 8. **操作注意事项**：例如，在特定温度下工作时需注意电流和功率限制，以及在10秒（t=10s）的脉冲条件。 CEB50P03-VB是一款适合高效率、小型化电路应用的P沟道MOSFET，其性能稳定，具有良好的散热控制，是设计师在选择开关元件时值得考虑的优质选项。在实际使用时，需根据电路的具体要求和工作环境来确定最合适的参数和操作条件。