CY62128EV30 MoBL：1-Mbit 128K×8 静态SRAM技术规格

"CY62128EV30MoBL®是一款1-Mbit(128K×8)的静态随机存取存储器(SRAM)，由Cypress Semiconductor Corporation制造。这款芯片以其高速度、宽工作温度范围和低功耗特性而著称，适用于工业和汽车级应用。" 详细说明: CY62128EV30MoBL是一款1兆位（128K×8）的静态RAM，意味着它能够在没有刷新操作的情况下保持数据存储，提供快速的读写访问。该芯片设计用于高效率和高性能的应用，具有以下关键特性： 1. **非常高的速度**：45纳秒的访问时间意味着它能在短时间内完成数据的读取和写入，适合需要快速数据处理的系统。 2. **温度范围广泛**：支持工业级温度范围从-40°C到+85°C，同时还有针对汽车应用的扩展温度范围，包括-40°C到+85°C（汽车-A）和-40°C到+125°C（汽车-E），这使得该器件能适应各种恶劣的工作环境。 3. **宽电压范围**：工作电压在2.2V到3.6V之间，这允许它在不同电源条件下的稳定工作。 4. **超低待机和工作电流**：典型待机电流仅为1微安，最大值为4微安，而典型工作电流在1兆赫兹频率下为1.3毫安，这些低功耗特性使其非常适合电池供电的便携式设备，如移动电话，可以显著延长电池寿命。 5. **易于内存扩展**：通过CE1、CE2和OE功能支持内存扩展，方便系统设计者根据需求增加存储容量。 6. **自动电源下拉**：当器件未被选中时，会自动进入低功耗模式，进一步节省能源。 7. **CMOS技术**：采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术，结合了高速和低功耗的优点。 8. **封装选项**：提供无铅32引脚小外形集成电路(SOIC)、32引脚薄型小外形集成电路(TSOPI)和32引脚标准小外形封装(STSOP)三种封装形式，以适应不同的安装和空间要求。 这款静态RAM模块的实用性和灵活性使其成为便携式设备和需要高效能、低功耗存储解决方案的其他应用的理想选择。由于其独特的MoBL（More Battery Life）设计，CY62128EV30特别适用于对电池寿命有严格要求的场景。