0.18微米工艺抗辐照EEPROM单元设计与性能分析

"深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能 (2011年)" 这篇2011年的论文主要探讨了在深亚微米工艺（0.18μm）中，如何通过创新设计提升EEPROM单元的抗辐照能力，以适应太空环境的应用需求。在太空中，普通EEPROM单元由于受到高能粒子的辐射，会出现可靠性下降、寿命缩短等问题。针对这一挑战，研究者提出了一种新的抗辐照EEPROM单元设计，该设计采用了环形栅极和场区隔离管加固结构。 新设计的EEPROM单元在经过加固后，其面积为9.56μm²，且表现出强大的抗总剂量效应能力，能够承受超过1500 Gy的辐射剂量，远超普通结构的抗辐照能力。为了深入理解这种增强效果，研究人员通过分析新单元在辐照条件下的阈值电压退化曲线，揭示了辐照效应对存储单元的影响机制。 分析结果显示，总剂量效应导致的边缘寄生晶体管源极/漏极漏电以及场氧下漏电是深亚微米工艺EEPROM失效的主要原因。新设计的加固措施正是针对这些失效机制，有效地提升了抗辐照能力和整体的可靠性。这样的设计对于满足太空应用中对高可靠性的抗辐照存储器的需求具有重要意义。 总结来说，这篇论文的关键知识点包括： 1. 深亚微米工艺EEPROM在太空环境中的失效问题，主要由辐射引起的总剂量效应造成。 2. 采用环形栅和场区隔离管的加固结构，以增强EEPROM单元的抗辐射能力。 3. 辐照效应导致的失效机制分析，包括边缘寄生管源/漏端漏电和场氧下漏电。 4. 加固设计对提高抗辐照能力和存储器可靠性的贡献。 5. 这种设计对于满足太空应用中抗辐照存储器需求的重要性。 这篇研究对于微电子领域，特别是在开发适用于极端环境（如太空）的电子设备的工程师和科学家们，提供了重要的理论支持和实践经验。通过这样的加固设计，可以为未来深空探索和卫星通信等领域开发更可靠的电子存储解决方案。