CEM4308-VB: 60V双N沟道MOSFET，2腿6A高效率

CEM4308-VB是一款由VBSEMIPRODUCTS公司生产的双通道N-Channel沟道SOP8封装的高性能MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）晶体管。这款器件的特点包括： 1. **技术特性**： - TrenchFET®技术：采用深度沟槽工艺，提供更高的开关速度和更低的导通电阻。 - 高度可靠：100%的Rg和UIS测试，确保了元件的可靠性。 2. **电气参数**： - **电压限制**： - Drain-Source Voltage (VDS): 最大可达60V，支持高压应用。 - Gate-Source Voltage (GS): ±20V，确保了宽广的栅极电压范围。 - **电流能力**： - Continuous Drain Current (ID): 在VGS = 10V时，每个通道可提供高达7A的连续电流。 - 在高温条件（125°C）下，电流会有所下降。 - **脉冲性能**： - Pulsed Drain Current (IDM) 和 Single Pulse Avalanche Current (IL) 提供了安全的短路保护。 - 能量吸收能力：Single Pulse Avalanche Energy (EAS) 达到16.2mJ。 3. **封装与尺寸**： - 封装类型：SOP8，紧凑型设计便于集成到电路板上。 - 结构：顶部视图显示了两个独立的N-Channel MOSFET，每个MOSFET有源区(S)、栅极(G)和漏极(D)。 4. **热管理**： - Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RthJA): 当安装在标准PCB（FR4材料）上时，提供了110°C/W的热阻，有助于管理热量散发。 5. **工作温度范围**： - Operating Junction Temperature (Tj): 从-55°C到+175°C，适用于各种环境条件。 - Storage Temperature Range (Tstg): 同样宽泛，确保了长时间存储的稳定性。 6. **注意事项**： - 封装限制：可能对电路板布局和安装位置有一定的要求。 - 脉冲测试条件：脉冲宽度不超过300μs，占空比不超过2%。 CEM4308-VB是一款适用于高电压、大电流、高性能开关应用的理想选择，其先进的技术和严格的测试保证了其在工业级和电子设备中的稳定表现。在实际设计时，需确保符合其工作条件和限制，以充分利用其潜力。