"SI2307CDS-T1-GE3-VB是一种P沟道的 MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),采用SOT23封装,适用于移动计算设备,如笔记本适配器开关和DC/DC转换器等应用。这款器件具有TrenchFET技术,确保了低电阻和高效能。"
SI2307CDS-T1-GE3-VB的主要特性包括:
1. TrenchFET PowerMOSFET:这种技术采用沟槽结构,降低了电阻,提高了开关性能,使得在低电压下工作时能保持低功耗。
2. 100% Rg测试:所有产品都通过了栅极电阻(Rg)测试,确保了质量与一致性。
3. 应用领域:主要应用于移动计算设备的负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器,这些场景需要高效的电源管理。
产品参数总结如下:
- 耐压能力:最大漏源电压(VDS)为-30V,表示该MOSFET能承受的最大反向电压为30V。
- 导通电阻(RDS(on)):在不同栅极电压下,RDS(on)有不同典型值,例如在VGS=-10V时,RDS(on)典型值为0.046Ω,在VGS=-6V时,RDS(on)为0.049Ω。
- 电流处理能力:连续漏极电流(ID)在不同温度下也有所不同,例如在25°C时最大为-5.6A,而在70°C时为-4.3A。
- 栅极电荷(Qg):这是衡量MOSFET开关速度的参数,其典型值为11.4nC,表明该器件开关速度快,适合高速应用。
- 封装形式:采用TO-236(SOT-23)封装,这是一种小型表面贴装封装,适用于空间有限的应用。
- 绝对最大额定值:例如,栅源电压(VGS)的极限值为±20V,最大连续漏极电流(ID)在150°C时为-5.6A,最大脉冲漏极电流(IDM)为-18A。
此外,还有热特性:
- 最大功率耗散(PD):在不同温度下,器件的最大功率耗散限制不同,25°C时为2.5W,而70°C时为1.25W。
- 结温范围:操作和存储温度范围为-55°C到150°C,确保了器件在宽温范围内的稳定工作。
SI2307CDS-T1-GE3-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,其低RDS(on)、小巧的封装和良好的热特性使其成为移动设备电源管理的理想选择。设计者在应用这款器件时,需注意其工作温度、电流和电压限制,以确保系统的可靠性和效率。