"SI7852ADP-VB是一款N沟道80V TrenchFET功率MOSFET,采用DFN8(5x6)封装,适用于电源开关、同步整流和直流交流逆变器等应用。该器件经过100%的Rg和UIS测试,确保了其可靠性和性能。"
SI7852ADP-VB是一款由Siliconix(现属于Infineon Technologies)制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它采用了先进的TrenchFET技术,这种技术通过在硅片上蚀刻出深沟槽来提高MOSFET的密度和开关速度,同时降低导通电阻,从而提升效率并减少功耗。
该器件的主要特性包括:
1. **TrenchFET结构**:这是一种优化的MOSFET设计,能提供更低的RDS(on),即在特定电压下导通时的电阻,使得在高电流传输时损失更小。
2. **100% Rg和UIS测试**:Rg测试确保了门极电阻的稳定性,UIS测试则验证了器件在过电压情况下的安全性,这都保证了SI7852ADP-VB在实际应用中的可靠性。
3. **广泛应用**:适合于主电源开关、同步整流和直流交流逆变器等电力转换系统,这些应用场景对MOSFET的效率和耐压有较高要求。
规格参数方面:
- **额定电压**:VDS的最大值为80V,表明MOSFET能承受的最大源漏电压。
- **导通电阻**:RDS(on)在VGS=10V时低至0.0048Ω,VGS=7.5V时为0.0050Ω,VGS=4.5V时为0.0064Ω,这意味着在不同栅极电压下,器件的内阻非常小,适合大电流低损耗的应用。
- **电荷量**:Qg为25nC,表示开启或关闭MOSFET所需的最大电荷量,较小的Qg有助于更快的开关速度和较低的开关损耗。
- **最大连续漏极电流**:ID在25°C和70°C时分别可达到60A,保证了足够的电流承载能力。
- **最大功率耗散**:在25°C时为104W,在70°C时为66.6W,温度升高会限制MOSFET的最大功率输出。
需要注意的是,对于无引脚(leadless)封装的SI7852ADP-VB,手动用烙铁焊接是不推荐的,因为这可能导致器件损坏。此外,器件的最大工作结温以及储存温度也应保持在合适的范围内,以确保其长期稳定工作。
SI7852ADP-VB是一款高性能、低电阻、高电流能力的N沟道MOSFET,适用于对效率和功率密度有严格要求的电力电子系统。其独特的TrenchFET技术和严格的测试标准确保了在各种应用环境中的可靠性和耐用性。