超致CoolMOS 600V SJ-FET规格详解:低阻抗与高效能

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超致CoolMOS的SSF20N60S是一款高性能的SuperJunction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (SJ-MOSFET),它属于Super-SEMI公司的下一代高压MOSFET系列。这款器件采用了先进的充电平衡机制,旨在提供卓越的低阻抗(RDS(on))和更低的门极电荷,从而显著降低导通损耗,提升开关性能,并能承受极端的电压变化率(dv/dt)和更高的雪崩能量。 该产品的主要特性包括: 1. 耐压等级:650V,这是在环境温度TJ等于150℃下的安全工作电压。 2. 典型阻断状态电阻(RDS(on)):在室温和100℃时,分别为0.16Ω和约0.16Ω,显示出出色的开关效率。 3. 门极电荷:典型的门极电荷非常低,仅为70nC,这对于快速开关操作极其有利。 4. 抗雪崩能力:该器件经过了100%的雪崩测试,确保在脉冲条件下也能稳定工作。 绝对最大参数方面: - VDSS(漏源电压):最大值为600V。 - ID(连续电流,室温/100℃):连续工作电流在25℃和100℃下分别为20A和10A,对于短路保护或功率传输应用非常重要。 - IDM(脉冲电流):允许的最大脉冲电流高达62A,这在高功率应用中表现出色。 - VGSS(栅极源电压):允许的栅极电压范围为±30V,确保了宽广的工作电压区间。 SSF20N60S适用于各种AC/DC电源转换中的开关模式操作,特别适合追求高效能的电子设备设计。这种SuperJunction FET技术的优势体现在其低损耗、快速响应和可靠性上,是现代电力电子系统中不可或缺的关键组件。通过查阅这份规格书,设计师可以全面了解并利用这款器件的特性来优化他们的电路设计。
2019-07-23 上传
这是一个应用说明,专用于英飞凌的2500瓦图腾杆全桥功率因数校正(PFC)演示板,包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器,以及1EDI高压MOSFET驱动程序。   这个演示板展示了一个高效的PFC阶段,它利用Infineon的CoolGantm技术的优势,将系统效率提高到99%以上,用于服务器或电信整流器等效率关键的应用。   增强模式(E模式)氮化镓(GaN)半导体的一个独特优势是完全没有任何反向恢复电荷,GaN是一种宽带隙(WBG)材料。因此,这项技术使功率级的新拓扑成为可能,而目前的高压超结(SJ)功率半导体无法解决这一问题。基于这些特性,图腾柱pfc拓扑是利用Infineon的CoolGantm技术优势的完美匹配。   我们的演示板显示了高达2500瓦的可靠运行,基准效率为99.2%。要实现这一点,只需要两个分立的70 MΩCoolGantm开关和两个分立的33 MΩ650 V CoolMostm C7金开关。所有的动力部件都是表面安装设备(SMD),能够实现更快、更便宜的组装过程。该控制采用英飞凌标准的ICE3连续导通模式(CCM)控制芯片实现。PWM开关频率设置为65 kHz。   这个演示板展示了一个高效的PFC阶段,它利用Infineon的CoolGantm技术的优势,将系统效率提高到99%以上,用于服务器或电信整流器等效率关键的应用。   增强模式(E模式)氮化镓(GaN)半导体的一个独特优势是完全没有任何反向恢复电荷,GaN是一种宽带隙(WBG)材料。因此,这项技术使功率级的新拓扑成为可能,而目前的高压超结(SJ)功率半导体无法解决这一问题。基于这些特性,图腾柱pfc拓扑是利用Infineon的CoolGantm技术优势的完美匹配。   我们的演示板显示了高达2500瓦的可靠运行,基准效率为99.2%。要实现这一点,只需要两个分立的70 MΩCoolGantm开关和两个分立的33 MΩ650 V CoolMostm C7金开关。所有的动力部件都是表面安装设备(SMD),能够实现更快、更便宜的组装过程。该控制采用英飞凌标准的ICE3连续导通模式(CCM)控制芯片实现。PWM开关频率设置为65 kHz。