Sentaurus中文教程_sentaurus中文教程 - CSDN文库

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总体仿真流程概括：

 SPROCESS 模拟工艺步骤，比如光刻、离子注入、退火等，进而得到一个含

有材料、边界、掺杂信息的文件

 SDE 读取 SPROCESS 的输出文件，利用图形化界面打开，再对结构添加电

极、划分网格，然后输出一个含有电极信息并划分好网格的文件

实际上 SDE 可用来手动绘制想要的器件结构，包括材料、边界、掺杂等。

 Sdevice 读取经过 SDE 处理的输出文件，并利用各种物理模型与数学算法，

模拟器件的各种物理参数。

下面以一个完整的流程为例，分部分说明

SPROCESS

操作流程：

1．新建工程：Project——new——new project （左上角）

2．添加仿真工具：在“No Tools”面板上右击“add„”添加仿真工具 sprocess

然后选择“Use Ligament to Create Input Files”-“yes”

line x location=1 spacing=0.1

line x location=2 spacing=0.2 tag=Bottom

line y location=0 spacing=0.05 tag=Left

line y location=5.1 spacing=0.05 tag=Right

region silicon xlo=Top xhi=Bottom ylo=Left yhi=Right

location 标明位置，spacing 设置在该位置的网格间距，位于两个 location 之间的部分的

网格间距介于两端所设的 spacing 数值之间，一般以近似线性变化。Tag 设置了一些参数，

作为仿真区域 region 的边界。

如该例子中的设置：在纵向，即 x 方向，垂直晶圆方向，坐标为 x=0 处附近的沿着 x

方向的网格间距为 0.01um，并把该线，即 x=0 定义为一个参数，叫做 Top；在 x=0.5 处附近

沿着 x 方向的网格间距为 0.05um,那么在 x=0 至 x=0.5 之间的区域，沿着 x 方向的网格间距

会由 0.01um 逐渐变化到 0.05um。y 方向的含义以此类推。

Region 语句定义材料的边界。如上例，定义了硅材料，它的边界分为上下左右，分别

用 xlo,xhi,ylo,yhi 表示（x 坐标 low,靠上；high 则靠下）。

◆ 其它的设置保持默认值。

Substrate 衬底参数设置：

◆ Dopant 设置杂质类型，如为 P 型掺杂，选择 boron

◆ Concentration 浓度设置，如 1e15，表示浓度为 1*10

15

/cm

3

另：关于类属功能。实际仿真中，在保证原有工艺流程的前提下，还可以进行一些配置，如

上图右边所示。其中加载和保存结构属于软件的“类属功能模块”，该功能模块含有下

面的几项：

注释

与注释类似，仅在翻译成命令行格式时文字外围的花纹不同

工艺流程中插入的命令行操作

加载已存为 dump 格式的工艺结构

保存当前实现的工艺结构

关于宏，Macro。宏是用户定义的一个打包的工艺流程，其内部含有某些工艺操作的组

合。用到宏一般有两种原因：一是为了整个工艺流程的条例清晰，将实现某些特定功能

的工艺步骤打包，并命名为有一定意义的宏名，便于之后检查和修改；二是某些工艺步

骤的组合出现次数较多，将其打包，会使得调用方便，也同样会使流程简洁清晰。

创建一个新的宏。点选，点击工具栏中图标，会返回一个新的

宏，并提示输入宏名称。在光标后输入宏名后，注意要按回车键，否则宏不能被保存。

宏名称不要使用软件中已有的关键词，如“main，epitaxy”等，也不要使用“！·#￥”

等类似字符。如，建立一个名为“epi”的宏。得到下图所示：

剩余23页未读，继续阅读

评论1

yaxika

2020-06-27

只有一个简单的流程，24页，没有标签中的手册，很失望

Tian.

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