TSMC SFD64KX32M64P4C-HE-LMC: 1.8V CMOS Embedded Flash Memory

"DB-SFD64KX32M64P4C-HE-LMC-100B-BC.pdf 是一款由TSMC公司生产的嵌入式闪存（Eflash）芯片技术文档，该芯片名为SFD64KX32M64P4C_HE_LMC。这款芯片采用CMOS页擦除技术，具有双字（32位）编程能力，内存被划分为两个区块：主内存块和信息块。主内存块结构为65536字×32位，而信息块则为512字×32位，适合存储设备信息。该芯片的页擦除操作能清除一页内的所有双字，一页由主内存块的4行相邻行和信息块的4行相邻行组成。其采用了分栅极细胞设计和厚氧化层隧道注入器，以提高可靠性和制造性，相比其他方法有优势。SFD64KX32M64P4C_HE_LMC支持仅用1.8伏电源进行擦除和编程。该文档由TSMCMEMORYCOMPILER2006.03.00版本生成，相关技术为CE018FE&CE018FF，并属于EmbFlashLMC20KCompiler产品类型。" 在这款嵌入式闪存芯片SFD64KX32M64P4C_HE_LMC中，关键特性包括： 1. 内存组织：芯片的内存分为两部分，一部分为主内存块，容量为65536字×32位；另一部分为信息块，容量为512字×32位。这种分区设计使得芯片能够同时处理大量数据和存储特定的设备信息。 2. 页擦除机制：页擦除功能可以一次性擦除一个页中的所有双字。在主内存块中，一个页包含4行相邻的双字，而在信息块中同样如此。这种操作提高了擦除效率，减少了对整个芯片的擦除次数。 3. 编程方式：芯片支持双字（32位）编程，这意味着可以同时对32位数据进行编程，提高了编程速度。 4. 电路设计：采用分栅极细胞设计和厚氧化层隧道注入器。这种设计是为了解决传统闪存的可靠性和制造问题，通过优化单元结构，增强了芯片的耐久性和一致性。 5. 电压需求：SFD64KX32M64P4C_HE_LMC可以在1.8伏的电压下完成擦除和编程操作，这降低了对电源的要求，有利于低功耗应用。 6. 知识产权声明：文档明确指出，其中包含的信息是TSMC的机密和专有信息，未经许可，不得复制、传播或以任何形式存储和使用。同时，TSMC保留随时修改信息而不预先通知的权利。 这款芯片适用于需要高效存储和快速编程操作的嵌入式系统，如微控制器、物联网设备或者需要本地存储数据的应用。由于其独特的设计和低电压操作，它在功耗敏感的系统中尤为适用。