"PHT8N06LT-VB是一款N沟道SOT223封装的MOSFET,常用于便携式设备的负载开关应用。它具有无卤素和TrenchFET®功率MOSFET技术的特性。这款器件在设计时考虑了可靠性,但对无铅组件的手动焊接不推荐。"
PHT8N06LT-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要特点在于其0-V(源漏极间)开启电压和SOT223封装形式。该器件采用了TrenchFET®技术,这是一种先进的制造工艺,通过在硅片上挖掘深沟槽来降低电阻,从而提高效率并减小芯片尺寸。这使得PHT8N06LT-VB在提供低导通电阻(RDS(on))的同时,还能保持较小的封装,适用于需要高效能和紧凑空间的应用。
该MOSFET的关键参数包括:
- 最大漏源电压(VDS):0V,这意味着在正常工作条件下,源极和漏极之间不应有电压。
- 连续漏极电流(ID):在25°C时典型值为0.7A,在70°C时为0.5A。这个参数定义了MOSFET可连续处理的最大电流。
- 静态栅极源极电压(VGS):对于达到最小RDS(on)的10V,MOSFET将呈现最低的导通电阻。
- 输入电荷(Qg):在10V栅极电压下,典型值为1nC,表示开启或关闭MOSFET所需的总电荷。
- 总栅极电荷的值对开关速度有直接影响,较小的电荷意味着更快的开关性能。
此外,该器件还有绝对最大额定值,例如:
- 栅源电压(VGS):±20V,超过这个电压可能会损坏MOSFET。
- 连续脉冲漏极电流(IDM):20A,这表示在短时间内MOSFET可以承受的峰值电流。
- 持续源漏极二极管电流(IS):在25°C时,典型值为0.2A,这是一个内置的体二极管,用于反向电流流动。
需要注意的是,由于PHT8N06LT-VB采用无铅封装,对于无铅组件的手动焊接,使用烙铁是不建议的,因为这可能导致底部焊点连接不足。最佳的重工作条件应遵循制造商的可靠性手册中的建议。
PHT8N06LT-VB是一款适用于便携式设备的高效能、低功耗N沟道MOSFET,其特点在于其小型封装、低导通电阻以及采用TrenchFET®技术。这款器件特别适合那些需要快速开关、小体积且对效率要求高的电子设计。