SFT1342-TL-E-VB MOSFET技术规格与应用解析

"SFT1342-TL-E-VB-MOSFET是一款P沟道 MOSFET，具有-60V的耐压值和低的RDS(ON)，在10V时为48mΩ，在4.5V时为57mΩ。它适用于高边开关全桥转换器和DC/DC转换器，如LCD显示的电源管理。该器件符合RoHS指令，并通过了100%UIS测试。" SFT1342-TL-E MOSFET是一款由沟槽技术制造的功率MOSFET，设计用于高效能和低损耗的应用。它的主要特点是： 1. **无卤素**：根据IEC61249-2-21标准，这款MOSFET不含有卤素成分，符合环保要求。 2. **TrenchFET技术**：采用沟槽结构，提高了器件的开关速度和降低了导通电阻，有助于提升系统效率。 3. **100%UIS测试**：这意味着该器件经过了严格的测试，确保在意外电压尖峰下能保持稳定，提高了系统的安全性和可靠性。 4. **RoHS合规性**：遵循2002/95/EC指令，符合无铅的要求。 5. **应用领域**：SFT1342-TL-E常用于高边开关，比如在全桥转换器中，以及DC/DC转换器，特别是液晶显示器的电源部分。请注意，其在1%的占空比下工作。 关键参数包括： - **耐压值(VDS)**：-60V，意味着源极和漏极之间的最大电压不应超过这个值。 - **导通电阻(RDS(ON))**：在10V栅极-源极电压下，典型值为48mΩ；在4.5V下，为57mΩ。较低的RDS(ON)意味着更低的导通损耗，从而提高效率。 - **连续漏电流(ID)**：在不同温度下有不同的额定值，例如在25°C和150°C条件下，其持续漏电流分别为22A和26A。 - **脉冲漏电流(IDM)**：短时间脉冲下可承受的最大电流，为-100A。 - **雪崩电流(IAS)**：单脉冲下允许的最大雪崩电流为-22A。 - **重复雪崩能量(EAS)**：单脉冲下的最大重复雪崩能量为24.2mJ。 此外，封装形式为TO-252，其中源极连接到散热片。MOSFET的热特性包括最大结温至150°C，以及不同的热阻值，这些决定了器件在不同条件下的散热性能。 SFT1342-TL-E MOSFET是一款高性能、低损耗的P沟道功率MOSFET，适用于需要高效率和可靠性的电源转换应用。其独特的特点和参数使其成为高边开关和DC/DC转换器的理想选择，同时满足现代电子设备的环保和安全标准。