国产InGaAs激光二极管驱动的高效微晶片激光器研究

本文主要探讨了使用国产1瓦InGaAs激光二极管（LD）驱动的Yb:YAG微晶片光子源在光通信领域的一项重要研究成果。研究团队采用了一种掺杂浓度为10 at.-%的Yb:YAG晶体材料，其尺寸为直径5毫米和厚度0.6毫米。在室温条件下，他们成功实现了高功率输出，达到了91.5毫瓦，并且实现了基模激光的连续发射。光束的质量（M2值）保持在优良水平，仅为1.14，这表明激光的发散性控制得相当好，有利于在光学系统中的传输和聚焦。 值得注意的是，该研究的斜率效率达到了30%，这是一个衡量激光器性能的重要指标，它表示每单位输入功率所产生的有用输出功率的比例。通过进一步的晶体制冷技术优化，团队提升了激光输出至111毫瓦，同时将斜率效率提升到了40%，这表明在冷却条件下，激光器的能效得到了显著提高。 文章的关键焦点在于国产化Yb:YAG晶体在光束质量控制和抽运固体激光器方面的性能，尤其是在与InGaAs LD结合时的表现。此外，文中提到的关键词包括Yb:YAG晶体、光束质量、抽运固体激光器等，这些都是当前激光技术研究中的热点话题。 这项研究对于推动我国在高端激光技术领域的自主创新发展具有重要意义，特别是在减少对外部技术依赖的同时，提高了激光器的性能指标，对于光通信、光纤放大器、光谱测量等领域都有着实际的应用价值。整体来看，这项工作不仅展示了国内科研团队在激光技术上的突破，也对促进相关产业的技术进步起到了积极的推动作用。