TJ60S04M3L-VB: 40V P沟道TO252封装高性能晶体管

TJ60S04M3L-VB是一款高性能的P沟道场效应晶体管（P-Channel MOSFET），采用Trench FET®技术，具有低热阻封装。该器件的特点主要表现在以下几个方面： 1. **技术特点**： - Trench FET结构：利用深槽工艺制造，提供更高的开关速度和更低的导通电阻，提升功率效率。 - 低热阻封装：TO252封装设计有助于散热，有利于在高功率应用中保持良好的工作性能。 2. **电气参数**： - 额定电压：VDS为-40V，这意味着它适用于高电压环境。 - RDS(on)值：在VGS = -10V时为0.0068Ω，显示出出色的低阻抗特性；在VGS = -4.5V时，RDS(on)占满载条件下的100%，表明其在部分开启状态下也能保持高效。 - 具备Rg和UIS测试，确保了输入电容的稳定性和输入浪涌电流的控制。 - 最大连续源电流(IS)为-100A，脉冲耐受能力较强，单脉冲雪崩电流（IAS）可达-50A。 3. **功率处理能力**： - 连续漏极电流(ID)在室温下可达到-90A，在高温条件下有所下降。 - 单个脉冲最大电流限制为-280A，单脉冲雪崩能量（EAS）为125mJ，适用于短时间峰值电流需求。 - 最大功率损耗(PD)在25°C时为136W，在125°C条件下为45W。 4. **温度范围**： - 操作和储存温度范围宽广，从-55°C到+175°C，适应各种环境条件。 5. **热阻**： - 器件与散热器之间的热阻（RthJA）为50°C/W，这对于有效的散热设计至关重要。 6. **注意事项**： - 产品规格还在验证阶段（d）。 - 使用限制：脉冲测试要求脉宽不超过300μs，占空比不超过2%。 - 推荐安装在1平方英寸（FR-4材料）PCB上。 TJ60S04M3L-VB是一款适合高电压、大电流应用的P沟道MOSFET，它的高性能、低导通电阻和良好的散热特性使其成为工业控制、电源管理和其他电力电子设备的理想选择。在实际应用中，务必注意其工作条件限制和散热设计的要求。