基于ARM的硬件系统设计：NAND与NOR闪存对比

"北航嵌入式系统课件--第5章 基于ARM的硬件系统设计" 本文档详细介绍了基于ARM处理器的硬件系统设计，重点在于存储器、网络、I/O接口以及人机交互等方面。其中，特别强调了容量和成本在选择存储器类型时的重要作用。 在存储器部分，文档提到了NAND和NOR两种类型的闪存。NAND闪存由于其生产过程更为简化，成本相对较低，适用于大容量数据存储，常见容量范围为8MB到128MB，在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场占据主导地位。相比之下，NOR闪存适用于代码存储，其容量通常在128KB至16MB之间，读取速度略快，但写入和擦除速度较慢。 S3C2410是ARM920T内核的一种实现，其内存系统具有灵活性，支持大小端模式，并且拥有8个Bank，每个Bank的容量可达128MB，总内存空间可达1GB。Bank0支持16/32-bit总线宽度，其余Bank可以通过编程选择8/16/32-bit宽度。此外，Bank6和Bank7的起始地址和大小可编程，存储周期也可单独控制。 文档还详细讲解了如何配置S3C2410与不同类型的存储设备连接，如ROM、SRAM、SDRAM等，并提供了各种连接示例，包括与8位或16位ROM、16M的SDRAM的连接方法。 在性能比较中，NAND闪存的写入和擦除速度远超NOR，而NOR在读取速度上略有优势。NAND的擦除单元更小，使得其在高密度存储应用中更具优势。NOR闪存采用线性寻址，适合直接执行代码，而NAND则使用复用接口，需要多次寻址来访问数据。 此外，文档还涵盖了网络接口、I/O接口和人机交互接口的设计原则，以及如串口设备、LCD驱动、音频电路、USB设备、PCMCIA、IDE/CF卡、SD卡接口和IO扩展等的具体实现。这些内容对于理解基于ARM的嵌入式系统硬件设计至关重要，为开发者提供了详尽的参考和指导。