英飞凌OptiMOS5 BSZ300N15NS5 MOSFET芯片中文规格书

"BSZ300N15NS5是英飞凌科技公司生产的一款OptiMOS™5系列的N沟道功率MOSFET，适用于高频率切换和同步整流应用。这款芯片具有优化的技术特性，尤其适用于DC/DC转换器。其主要特点包括极低的导通电阻（RDS(on)），出色的栅极电荷乘以RDS(on)的产品（FOM），100%雪崩测试通过，无铅电镀，符合RoHS标准，根据JEDEC标准进行资格认证，并且符合无卤素IEC61249-2-21规定。此外，该芯片的源极连接扩大，提高了焊接关节的可靠性。关键性能参数包括最大漏-源电压VDS为150V，最大导通电阻RDS(on)为30毫欧，连续漏电流ID为32A，栅极电荷Qoss为28纳库，栅极驱动电荷QG(0V..10V)为10纳库，开关电荷Qsw为4.5纳库。封装形式为TSDSON-8 FL，产品代码为BSZ300N15NS5。" 详细说明： BSZ300N15NS5是一款由英飞凌科技制造的高性能N沟道MOSFET，专为高效电源管理设计，尤其适用于需要高速开关操作和同步整流的场合，如DC/DC转换器。OptiMOS™5技术是英飞凌的一项创新，旨在提供更低的功耗、更高的能效和更小的封装尺寸。 这款MOSFET的最大亮点之一是其极低的导通电阻RDS(on)，仅为30毫欧，这使得在大电流通过时，器件的电压降非常小，从而降低了功率损失。此外，栅极电荷乘以RDS(on)的乘积（FOM）优化，意味着在开关过程中，器件能够快速响应并保持低损耗。 BSZ300N15NS5的100%雪崩测试表明其具备优秀的耐冲击能力，保证了在过电压条件下的稳定性。同时，无铅电镀和RoHS合规性使其符合环保要求，符合电子行业的可持续发展标准。根据JEDEC标准的资格认证，则确保了这款芯片在目标应用中的可靠性和一致性。 封装方面，BSZ300N15NS5采用TSDSON-8 FL封装，这种小型化封装有助于减小PCB占用空间，提高整体系统密度。特别是源极连接的扩大，不仅提高了热性能，还增强了焊接关节的长期可靠性，这对于高热负荷和长时间工作的设备尤其重要。 BSZ300N15NS5是一款高性能、高效、可靠的功率MOSFET，适用于需要高效能和紧凑尺寸的电源解决方案的现代电子设计。无论是数据中心的电源转换，还是消费电子产品的内部供电，这款芯片都能提供卓越的性能。