RUR040N02TL-VB: 20V N沟道SOT23封装MOSFET特性与应用
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更新于2024-08-03
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RUR040N02TL-VB是一款专为低功耗应用设计的N沟道SOT23封装MOSFET,它属于Trench FET系列,采用先进的沟槽技术,旨在提供高效能和小型化的解决方案。这款MOSFET具有以下关键特性:
1. **环保材料**:符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素,满足RoHS指令2002/95/EC,体现了对环境友好的制造理念。
2. **性能参数**:
- **电压等级**:最大Drain-Source Voltage (VDS) 为20V,适合在高压差条件下工作。
- **导通电阻**(RDS(on))在不同栅极电压下表现优异,例如在4.5V时典型值为0.028Ω,而在1.8V时为0.050Ω。
- **电流能力**:连续工作时,当TJ=150°C时, Drain Current (ID) 在25°C时可达6A,随着温度升高略有调整。
- **开关特性**:允许脉冲 Drain Current (IDM) 达到20A,同时提供了连续 Source-Drain Diode Current (IS) 的限制,如在25°C时IS为1.75A。
3. **散热与功率**:最大功率消耗在25°C下为2.1W,在70°C时降低至1.3W。注意,这些值是在稳态条件下的,并且建议工作在不超过125°C/W的热阻条件下。
4. **温度范围**:该MOSFET的Junction Temperature (TJ) 和 Storage Temperature Range 为-55°C 至150°C,确保了在宽温范围内的可靠运行。
5. **封装与安装**:SOT-23封装,适用于表面安装,特别适合小型电路板,如1"x1" FR4板,且推荐的峰值焊接温度需遵守制造商说明。
RUR040N02TL-VB MOSFET适用于多种应用,包括直流-直流转换器和便携设备负载开关,它的高效率、小型化和环保特性使其成为这些领域的理想选择。在设计电路时,请务必参考产品规格表中的限制条件和注意事项,以确保组件安全稳定地运行。
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