RUR040N02TL-VB: 20V N沟道SOT23封装MOSFET特性与应用

RUR040N02TL-VB是一款专为低功耗应用设计的N沟道SOT23封装MOSFET，它属于Trench FET系列，采用先进的沟槽技术，旨在提供高效能和小型化的解决方案。这款MOSFET具有以下关键特性： 1. **环保材料**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，满足RoHS指令2002/95/EC，体现了对环境友好的制造理念。 2. **性能参数**： - **电压等级**：最大Drain-Source Voltage (VDS) 为20V，适合在高压差条件下工作。 - **导通电阻**（RDS(on)）在不同栅极电压下表现优异，例如在4.5V时典型值为0.028Ω，而在1.8V时为0.050Ω。 - **电流能力**：连续工作时，当TJ=150°C时， Drain Current (ID) 在25°C时可达6A，随着温度升高略有调整。 - **开关特性**：允许脉冲 Drain Current (IDM) 达到20A，同时提供了连续 Source-Drain Diode Current (IS) 的限制，如在25°C时IS为1.75A。 3. **散热与功率**：最大功率消耗在25°C下为2.1W，在70°C时降低至1.3W。注意，这些值是在稳态条件下的，并且建议工作在不超过125°C/W的热阻条件下。 4. **温度范围**：该MOSFET的Junction Temperature (TJ) 和 Storage Temperature Range 为-55°C 至150°C，确保了在宽温范围内的可靠运行。 5. **封装与安装**：SOT-23封装，适用于表面安装，特别适合小型电路板，如1"x1" FR4板，且推荐的峰值焊接温度需遵守制造商说明。 RUR040N02TL-VB MOSFET适用于多种应用，包括直流-直流转换器和便携设备负载开关，它的高效率、小型化和环保特性使其成为这些领域的理想选择。在设计电路时，请务必参考产品规格表中的限制条件和注意事项，以确保组件安全稳定地运行。