CEM4228-VB双N沟道60V MOSFET，SOP8封装技术规格

"CEM4228-VB是一种双通道N沟道60V MOSFET，采用SOP8封装，具有TrenchFET技术，适用于需要高效能、低电阻的应用。" CEM4228-VB是一款由两个独立的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）组成的集成电路，封装在小巧的SOP8（小外形封装）中。这种器件主要特点在于其采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，可以显著降低导通电阻，提高开关性能，从而在电源管理、驱动电路和其他电子设备中提供更高的效率。 该MOSFET的关键参数包括： 1. **连续漏极-源极电压** (VDS)：最高为60V，这意味着MOSFET可以在60V的电压下正常工作。 2. **栅极-源极电压** (VGS)：在10V时，**导通电阻** (RDS(on)) 为0.028Ω，而在4.5V时，RDS(on) 为0.030Ω。低的RDS(on)意味着在导通状态下，器件的内阻很小，能有效降低功耗和发热。 3. **每个通道的最大连续漏极电流** (ID)：在25°C时，每通道可达到7A，125°C时降至4A，表明器件在高温环境下仍能保持较高的电流承载能力。 4. **脉冲漏极电流** (IDM)：短时间脉冲下最大电流为28A，允许器件处理瞬时大电流。 5. **单脉冲雪崩电流** (IAS)：在特定电感条件下，最大为18A，确保器件在过载情况下具有一定的雪崩耐受能力。 6. **单脉冲雪崩能量** (EAS)：最大为16.2mJ，这是器件在雪崩模式下能承受的能量，体现了其抗冲击的能力。 7. **最大功率损耗** (PD)：在25°C时，器件的最大散热能力为4W，125°C时为1.3W，这限制了器件在不同温度下的工作功率。 8. **结温范围** (TJ, Tstg)：从-55°C到+175°C，使得器件能够在广泛的温度环境中稳定工作。 此外，CEM4228-VB的热特性也值得一提。**结至环境的热阻** (RthJA) 为110°C/W，这意味着每增加1W的功率损耗，器件的结温将上升110°C。为了确保器件的稳定运行，应确保适当的散热设计，例如在1英寸见方的FR4材料PCB上安装时，可以考虑使用散热片来提高散热效率。 CEM4228-VB是一种高性能、低电阻的双通道MOSFET，适用于需要高效开关和控制电源流的应用，如电机驱动、电源转换器、负载开关以及需要高密度、低热阻解决方案的电子产品。其紧凑的封装和优秀的电气特性使其成为众多工程设计的理想选择。