STD35NF06LT4&15-VB是一款高性能的N沟道场效应晶体管,采用Trench FET技术,特别适用于高温环境下工作,最高结温可达175°C。这款晶体管的特点包括:
1. **封装类型**: TO252封装,适合于大功率应用,具有良好的散热性能。
2. **耐压等级**: 60V的栅极到源极电压(VDS),确保了在不同工作条件下安全操作。
3. **开关特性**:
- 在VGS=10V时,持续导通状态下的漏极电阻(RDS(on))低至0.010Ω。
- 当VGS=4.5V时,RDS(on)进一步降低到0.013Ω,这表明其在低电压下仍能保持高效能。
4. **电流能力**:
- 连续漏极电流(ID)在室温和高温条件下有所不同:在TC=25°C下为1A,而在TC=100°C的脉冲条件下可达100A(IDM)。
- 源极电流(IS)限制在50A,单个雪崩电流(IAS)也相当可观,为50A。
- 能承受的单次雪崩能量(EAS)在125mJ,对于短时间脉冲操作有保障。
5. **功率管理**:
- 最大功率耗散(PD)在标准条件下为136W,确保在正常工作温度范围内不会过热。
- 提供了不同的热阻值,如RthJA(最大结温与环境温度间热阻)和RthJC(结温与封装外壳间热阻),以评估散热性能。
6. **温度范围**:
- 该晶体管的工作范围广泛,从-55°C至175°C,满足不同应用的温度适应性。
- 结合存储温度Tstg,保证了长时间可靠运行。
7. **表面安装选项**: 可在1"x1"FR4板上表面安装,方便集成。
8. **安全性**:
- 参数限制说明了产品的一些使用注意事项,例如包装限制、最大电流的持续时间和雪崩电流的限制条件。
9. **参考资料**:
- 为了获取更详细的技术支持和规格信息,可通过VBsemi公司的官方网站www.VBsemi.com联系客户服务热线400-655-8788。
总结来说,STD35NF06LT4&15-VB是一款专为高效率和高温设计的N沟道MOSFET,适合在工业级电子设备和电力电子应用中使用,具有优秀的开关性能、宽广的温度适应性和出色的散热能力。