AP9962AGM-VB:60V双N沟道MOSFET详细参数与应用
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更新于2024-08-03
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"AP9962AGM-VB是一款由VB Semiconductor公司生产的双N沟道60V MOSFET,采用SOP8封装,适用于电源管理、开关应用等。其主要特点是采用TrenchFET技术,确保高效低阻,并经过100%的Rg和UIS测试,保证了产品的可靠性和稳定性。"
该器件的关键参数如下:
1. **电压规格**:AP9962AGM-VB具有60V的额定Drain-Source电压(VDS),能够承受60V的电压差,适合在高压电路中使用。
2. **导通电阻**:在VGS=10V时,每个通道的RDS(on)为27mΩ,这表示当栅极电压达到10V时,MOSFET的内阻非常低,可实现高效的开关操作。
3. **电流能力**:每个通道的最大连续 Drain 电流(ID)为7A,在25°C环境下,而125°C环境下则为4A,确保在高温条件下仍能保持良好的电流承载能力。
4. **阈值电压**:Vth为1.5V,这意味着当栅极电压达到1.5V时,MOSFET开始导通,这是设计电路时需要考虑的重要参数。
5. **脉冲测试**:器件经过了脉冲测试,脉冲宽度不超过300μs,占空比不超过2%,这表明器件在快速开关条件下仍能保持稳定。
6. **热特性**:结到外壳的热阻RthJA为110°C/W,这意味着每增加1W的功率损耗,芯片温度将上升110°C,因此在设计散热方案时需要考虑这个数值。
7. **绝对最大额定值**:包括 Drain-Source 电压(±20V的Gate-Source电压)、连续 Drain 电流(25°C时7A,125°C时4A)、短路持续电流(3.6A)、脉冲 Drain 电流(28A)以及单脉冲雪崩电流和能量等,这些都是设计电路时必须遵守的安全界限。
8. **配置与引脚布局**:器件为双N沟道配置,每个通道有源极(S)、栅极(G)和漏极(D)三个引脚,便于在电路中实现并联或串联连接。
AP9962AGM-VB适用于需要低阻抗、高效率切换的场合,如电源转换、马达驱动、电池管理系统、LED驱动等。其小体积的SOP8封装也使其适合空间有限的电路设计。在实际应用中,需注意散热设计,以确保器件在工作时不会过热,同时正确设置驱动电路以确保MOSFET的充分开启和关闭。
2024-04-10 上传
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2023-06-09 上传
2023-07-14 上传
2023-07-11 上传
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2023-07-08 上传
2023-07-14 上传
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