英飞凌OptiMOS3 BSB104N08NP3G 功率MOSFET技术规格

"BSB104N08NP3 G是英飞凌公司生产的OptiMOS™3系列的一款N沟道功率MOSFET芯片，具备优化的技术特性适用于DC/DC转换器。该芯片拥有卓越的栅极电荷与漏源电阻乘积（FOM），提供低轮廓设计（低于0.7mm），支持双面冷却，具有低寄生电感，并且是标准水平的N通道 MOSFET。" 这篇规格书主要介绍了BSB104N08NP3G芯片的各项关键参数和性能特点。以下是对这些内容的详细解释： 1. **Optimized technology for DC/DC converters**：这款芯片特别适合用于直流到直流转换器，意味着它在电源管理应用中表现出色，能有效提高转换效率和系统性能。 2. **Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)**：FOM（Figure of Merit）是衡量MOSFET性能的重要指标，低FOM表示在开关过程中损耗更小，效率更高。 3. **Low profile (<0.7mm)**：超薄设计使得它在空间有限的应用中更具优势，例如便携式设备或高密度电路板布局。 4. **Dual-sided cooling**：双面冷却设计允许从芯片的两面散热，提高了散热效率，确保了在高功率运行时的稳定性。 5. **Low parasitic inductance**：低寄生电感有助于减少开关过程中的电压尖峰，降低EMI噪声，同时提高开关速度。 6. **Continuous drain current (ID)**：连续漏极电流在25°C时为50A，而100°C时为32A，这表明芯片具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持较高的电流承载能力。 7. **Pulsed drain current (ID,pulse)**：脉冲漏极电流高达200A，适用于短时高功率需求。 8. **Avalanche energy (EAS)**：单脉冲雪崩能量为110mJ，表明该器件在过载情况下具有良好的雪崩耐受能力，增加了系统的安全性。 9. **Gate-source voltage (VGS)**：栅源电压的最大值为±20V，确保了正常操作范围内的稳定开关。 10. **Drain-source voltage (VDS)**：最大漏源电压为80V，这是芯片能够承受的最大电压差。 11. **RDS(on), max**：最大漏源导通电阻为10.4mΩ，这个值越低，MOSFET在导通状态下损耗的能量就越少，效率越高。 12. **Power dissipation (Ptot)**：最大功率损耗取决于工作温度，对于25°C时，未给出具体数值。通常，功率损耗与电流、电压和温度有关，需要根据实际应用条件计算。 总结来说，BSB104N08NP3G是一款高性能、低损耗、紧凑型的功率MOSFET，适用于需要高效、稳定和紧凑解决方案的电源管理领域。其规格书提供了详细的电气参数，为设计工程师提供了全面的参考信息，以确保在实际应用中正确、安全地使用该芯片。