英飞凌OptiMOS3 BSB104N08NP3G 功率MOSFET技术规格
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更新于2024-08-04
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"BSB104N08NP3 G是英飞凌公司生产的OptiMOS™3系列的一款N沟道功率MOSFET芯片,具备优化的技术特性适用于DC/DC转换器。该芯片拥有卓越的栅极电荷与漏源电阻乘积(FOM),提供低轮廓设计(低于0.7mm),支持双面冷却,具有低寄生电感,并且是标准水平的N通道 MOSFET。"
这篇规格书主要介绍了BSB104N08NP3G芯片的各项关键参数和性能特点。以下是对这些内容的详细解释:
1. **Optimized technology for DC/DC converters**:这款芯片特别适合用于直流到直流转换器,意味着它在电源管理应用中表现出色,能有效提高转换效率和系统性能。
2. **Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)**:FOM(Figure of Merit)是衡量MOSFET性能的重要指标,低FOM表示在开关过程中损耗更小,效率更高。
3. **Low profile (<0.7mm)**:超薄设计使得它在空间有限的应用中更具优势,例如便携式设备或高密度电路板布局。
4. **Dual-sided cooling**:双面冷却设计允许从芯片的两面散热,提高了散热效率,确保了在高功率运行时的稳定性。
5. **Low parasitic inductance**:低寄生电感有助于减少开关过程中的电压尖峰,降低EMI噪声,同时提高开关速度。
6. **Continuous drain current (ID)**:连续漏极电流在25°C时为50A,而100°C时为32A,这表明芯片具有良好的热稳定性,能够在高温环境下保持较高的电流承载能力。
7. **Pulsed drain current (ID,pulse)**:脉冲漏极电流高达200A,适用于短时高功率需求。
8. **Avalanche energy (EAS)**:单脉冲雪崩能量为110mJ,表明该器件在过载情况下具有良好的雪崩耐受能力,增加了系统的安全性。
9. **Gate-source voltage (VGS)**:栅源电压的最大值为±20V,确保了正常操作范围内的稳定开关。
10. **Drain-source voltage (VDS)**:最大漏源电压为80V,这是芯片能够承受的最大电压差。
11. **RDS(on), max**:最大漏源导通电阻为10.4mΩ,这个值越低,MOSFET在导通状态下损耗的能量就越少,效率越高。
12. **Power dissipation (Ptot)**:最大功率损耗取决于工作温度,对于25°C时,未给出具体数值。通常,功率损耗与电流、电压和温度有关,需要根据实际应用条件计算。
总结来说,BSB104N08NP3G是一款高性能、低损耗、紧凑型的功率MOSFET,适用于需要高效、稳定和紧凑解决方案的电源管理领域。其规格书提供了详细的电气参数,为设计工程师提供了全面的参考信息,以确保在实际应用中正确、安全地使用该芯片。
2023-06-25 上传
2023-06-26 上传
2023-07-27 上传
2023-05-31 上传
2023-06-13 上传
2023-05-25 上传
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