"2SJ377-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用TO-252封装。该器件的主要特性包括60V的工作电压,低导通电阻(RDS(on)),以及在特定条件下的连续和脉冲电流能力。此外,它还具有TrenchFET技术,确保了高效的开关性能,并且通过了100%的UIS测试,适用于负载开关等应用。"
2SJ377-VB MOSFET是一款高性能的P沟道MOSFET,其主要参数如下:
- **工作电压** (VDS): 该MOSFET可承受的最大电压为60V。在VGS=-10V时,RDS(on)为0.061Ω;而在VGS=-4.5V时,RDS(on)为0.072Ω。较低的RDS(on)意味着在导通状态下,器件的内阻小,能有效降低功耗。
- **电流能力**: 连续漏极电流(ID)在环境温度为25°C时最大为-30A,在100°C时为-25A。脉冲漏极电流(IDM)和持续源电流(IS)均为-20A,表明该MOSFET能处理较高的瞬时电流。
- **耐冲击电流** (Avalanche Current - IAS): 单次脉冲的雪崩电流为-20A,允许器件在设计允许的范围内承受过载情况。
- **能量耐受** (Avalanche Energy - EAS): 在特定电感条件下(L=0.1mH)单脉冲雪崩能量为7.2mJ,保证了在过电压情况下器件的稳定性。
- **功率耗散** (Power Dissipation - PD): 最大功率耗散在25°C时为34W,而考虑到结温,最大值可能有所不同。
- **热特性**:结温范围从-55°C到175°C,结-壳热阻(RthJC)为5至6°C/W,结-环境热阻(RthJA)在短暂条件下为20至25°C/W,稳态下为62至75°C/W。这些数据对于评估器件在散热条件下的工作性能至关重要。
- **应用领域**:2SJ377-VB适用于负载开关应用,如电源管理、电池保护和电机控制等,由于其高效能和高可靠性。
这款MOSFET采用TrenchFET技术,这是一种先进的制造工艺,通过在硅片上蚀刻出精细的沟槽结构,减小了导电通道的面积,从而降低RDS(on),提高开关速度和效率。此外,100%的UIS测试确保了器件在极端条件下的安全操作。
总体而言,2SJ377-VB MOSFET是一款适合于需要高效率和低损耗的P沟道开关应用的半导体元件。它的设计特点和参数保证了在各种电路条件下的稳定性能,适用于各种工业和消费电子产品。