PHD55N03LT-VB: 30V N沟道TO252封装场效应管，高效率应用解决方案

PHD55N03LT-VB是一款高性能的N沟道场效应管，属于TrenchFET® PowerMOSFET系列，采用TO252封装，特别适用于对功率密度和效率有高要求的应用场景。这款晶体管的关键特性包括： 1. **耐压能力**：N-Channel设计使其能承受高达30V的 Drain-Source (VDS) 电压，确保了在各种电路中的稳定工作。 2. **低阻态特性**：在VGS = 10V时，典型状态下的RDS(on)仅为0.005Ω，而在VGS = 4.5V时，这一数值为0.006Ω，显示出其极低的开关损耗。 3. **高驱动能力**：具有低的输入电荷Qg，典型值在VGS = 10V时为1nC，在VGS = 4.5V时为0.006nC，这表明它能够快速响应控制信号。 4. **安全限制**：产品规格列出了绝对最大额定参数，如连续漏电流ID（在不同温度条件下），以及最大脉冲漏电流IDM，确保了在极端条件下的可靠工作。 5. **过载保护**：单脉冲雪崩电流IAS达到39A，允许短暂的过载情况；而单次脉冲雪崩能量EAS则为94.8mJ，提供了有效的过电压保护。 6. **散热与功率处理**：在25°C环境温度下，最大持续功率消耗PD可达205W，同时给出不同温度下的最大存储温度Tstg为-55°C至175°C，确保了器件在宽温范围内的稳定运行。 7. **封装与应用**：该产品适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换器等应用，且已通过RoHS Directive 2011/65/EU标准认证。注意，这些性能指标是在特定条件下测量的，如在1"x1" FR4板上表面安装，且t=10秒。 PHD55N03LT-VB是一款专为高效率、低损耗设计的N沟道场效应管，适合于对功率管理和热管理要求严格的工业级应用，尤其在需要紧凑封装和优良散热性能的场合中表现突出。