"RTR025P02TL-VB是一种P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用SOT23封装,适用于各种低电压、小电流应用。该器件的最大额定 Drain-Source 电压(VDS)为-20V,连续 Drain 电流(ID)在不同温度下有所不同,最大可达-5eA。MOSFET 的栅极源电压(VGS)允许的范围是±12V。在特定条件下,其开启状态下的漏源电阻(RDS(on))较低,例如在VGS=-10V时为0.035欧姆。此外,它的总栅极电荷(Qg)在室温下分别为10nC(VGS=-10V)和18nC(VGS=-4.5V)。"
详细说明:
1. **P沟道MOSFET**:RTR025P02TL-VB是一种P沟道MOSFET,这意味着它在栅极电压低于阈值电压时导通,通常适合用作高侧开关或在电源电路中实现逻辑控制。
2. **SOT23封装**:这种小型表面贴装封装有三个引脚,便于在紧凑的电路板空间内安装和操作。
3. **参数规格**:最大Drain-Source电压VDS为-20V,意味着它能承受的最大反向电压为20伏。而连续Drain电流ID在不同环境温度下有不同的限制,如在25°C时为-5eA,在70°C时则降低至-4.5A。
4. **RDS(on)**:漏源电阻是衡量MOSFET导通状态下电阻的重要参数,RDS(on)越低,MOSFET在导通时的损耗越小。在VGS=-10V时,RDS(on)为0.035欧姆,体现了良好的导通性能。
5. **总栅极电荷Qg**:Qg是MOSFET开关过程中消耗的总电荷,影响开关速度。Qg的大小直接影响到开关损耗和开关时间。
6. **热特性**:最大结温TJ为150°C,最大功率耗散在不同温度下也有变化,25°C时为2.5W,而70°C时降至1.6W。RthJA和RthJF分别表示结到环境和结到脚的热阻,数值越低,散热能力越好。
7. **脉冲Drain电流IDM**和连续源漏二极管电流IS:IDM允许的最大脉冲电流为-18A,IS的最大值为-2.1A(室温下),在特定条件下,如在70°C时,IS降低到-1.0A。
8. **安全操作区**:制造商提供了在不同条件下的最大工作参数,确保在这些范围内使用时,MOSFET不会受到损害。
9. **无卤素**:根据IEC61249-2-21标准,该器件是无卤素的,符合环保要求。
RTR025P02TL-VB是一款适合在低电压系统中使用的高性能P沟道MOSFET,具有良好的开关性能和热管理特性,特别适合于需要小体积和高效能的电子设计。