"STS7NF60L-VB是一款N沟道、SOP8封装的MOSFET,适用于低侧同步整流器操作,应用于CCFL逆变器等场景。这款MOSFET具备无卤素特性,采用TrenchFET技术,优化了低侧同步整流性能,并通过100%的Rg和UIS测试。其绝对最大额定值包括60V的源漏电压,±20V的栅源电压,以及在不同温度下的连续和脉冲漏电流。此外,还提供了热特性参数,如结壳热阻和最大功率耗散。"
STS7NF60L-VB是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其封装形式为SOP8(小外形封装)。该器件的特点之一是符合IEC61249-2-21标准的无卤素设计,这意味着它不含卤素元素,符合环保要求。TrenchFET技术的应用使得MOSFET在体积小巧的同时,能提供优异的开关性能和低电阻。
这款MOSFET特别适合于"低侧"同步整流器操作,这是因为在直流-直流转换器中,低侧MOSFET用于控制电流的关闭,而高侧MOSFET控制电流的开启。低侧MOSFET需要有快速的开关速度和低的导通电阻,以减少转换过程中的能量损失,STS7NF60L-VB的优化设计正满足这一需求。
在电气特性方面,STS7NF60L-VB的最大源漏电压VDS为60V,这表示它可以在最高60V的电压下正常工作。其典型条件下的RDS(on)(导通电阻)在VGS=10V时为0.012Ω,而在VGS=4.5V时为0.015Ω,这代表了其在开启状态下的低内阻。低的RDS(on)意味着在导通状态下,器件将有较小的电压降,从而提高效率。
对于应用场合,例如CCFL(冷阴极荧光灯)逆变器,MOSFET将用作开关元件,控制电流的流动以驱动CCFL灯管。其他应用可能还包括电源管理、电机控制、电池充电和其他需要高效功率转换的系统。
在安全操作方面,STS7NF60L-VB经过100%的Rg(栅极电阻)和UIS(雪崩击穿耐受能力)测试,确保了其可靠性和耐久性。其额定的连续和脉冲漏电流、单脉冲雪崩能量、以及最大功率耗散等参数定义了MOSFET在不同工作条件下的稳定性。
热性能也是衡量MOSFET性能的重要指标。STS7NF60L-VB的结壳热阻和最大功率耗散参数表明,它能在一定温度范围内有效地散热,保证了在高温环境下的稳定工作。例如,在25°C下,最大功率耗散为5W,而在70°C时,这一数值降至3.2W。
STS7NF60L-VB是一款高性能、低侧使用的N沟道MOSFET,适合于对效率和尺寸有严格要求的应用,如电源转换系统。其优秀的电气特性和热管理能力,使其成为许多电力电子设计的理想选择。