SI2319DS-T1-GE3-VB MOSFET:特性分析与应用实例
本文档详细介绍了SI2319DS-T1-GE3-VB型号的P沟道-30V MOSFET,该器件是一款高性能的Trench FET功率MOSFET,特别适合于移动计算、负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等应用场合。其特性包括: 1. **性能参数**: - 最大漏源电压(VDS):30V - 在-10V VGS下,典型RDS(on)值为47mΩ,当VGS降低到-6V时,RDS(on)增至56mΩ,而在-4.5V时,RDS(on)为54mΩ。 - 高度集成,采用SOT-23封装,具有小型化的表面安装优势。 - 漏极电流(ID)在不同工作条件下有所不同,例如在室温下持续电流限制为-5.6A,而在70°C时会有所下降。 2. **绝对最大规格**: - 温度对最大电流和功率消耗有显著影响。例如,在25°C时,持续导通状态下的最大功耗为2.5W,而100μs脉冲下的最大电流(IDM)为-18A。 - 结温(TJ)范围广泛,从-55°C到150°C,同时存储温度(Tstg)也在此范围内。 3. **散热特性**: - 提供了热阻值,如在25°C时,从Drain至环境的典型热阻为MΩ·K/W,这有助于评估器件在实际应用中的散热设计。 4. **应用注意事项**: - 本产品是在25°C的基准温度下测试的,实际使用时需考虑温度变化的影响。 - 长时间(5秒)下的最高结温为166°C/W,确保在设计时充分考虑散热路径和热管理策略。 SI2319DS-T1-GE3-VB是一款针对特定应用场合设计的高效率、小型化P沟道MOSFET,了解并考虑其规格、性能限制和散热需求是确保其在实际系统中可靠工作的关键。设计者在集成这款器件时,需注意电源电压、工作电流限制以及温度控制措施,以保证设备的稳定运行和寿命。
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