2N7002E-VB MOSFET:低阈值,高速切换的N沟道晶体管
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更新于2024-08-03
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"2N7002E-VB是一款N沟道SOT23封装的MOSFET,具有低阈值电压、低输入电容、快速切换速度和低输入及输出泄漏电流等特点。这款场效应管设计为TrenchFET® PowerMOSFET,提供1200V的ESD保护,并符合RoHS指令。适用于逻辑级别接口、驱动器、电池操作系统以及固态继电器等应用。"
2N7002E-VB场效应管是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其主要特点包括:
1. **低阈值电压**:2V(典型值)的阈值电压使得该器件在较低的栅极电压下就能开启,降低了驱动电路的复杂性和功耗。
2. **低输入电容**:25pF的输入电容意味着在开关操作时,电荷转移较小,从而提高了开关速度和系统的整体效率。
3. **快速切换速度**:25ns的切换时间表明2N7002E-VB适合用于需要高速响应的电路设计,如高频开关电源或高速逻辑门。
4. **低输入和输出泄漏电流**:这确保了在待机模式下低功耗,对于电池供电设备尤其重要。
5. **TrenchFET®技术**:采用TrenchFET结构,通过在硅片上刻蚀出沟槽形结构,增加了表面积,降低了电阻,从而实现了更低的导通电阻(RDS(on))和更好的热性能。
6. **1200V ESD保护**:该器件具备较强的静电放电保护能力,可防止因静电冲击导致的损坏。
7. **RoHS兼容性**:符合欧盟的RoHS指令,不含有害物质,符合环保要求。
2N7002E-VB的应用领域广泛:
- **直接逻辑级别接口**:适用于与TTL/CMOS逻辑电路的直接连接,提供平滑的信号传输。
- **驱动器**:可驱动各种负载,如继电器、电磁铁、灯具、锤子、显示器、存储器、晶体管等。
- **电池操作系统**:由于其低功耗特性,适用于电池供电的便携式设备。
- **固态继电器**:作为无触点开关,可用于控制高功率电路而不会引入机械磨损。
规格参数方面:
- **最大漏源电压(VDS)**:60V,确保了在额定工作条件下的稳定性。
- **最大连续漏极电流(ID)**:在25°C时为250mA,在100°C时为150mA,需要注意温度对电流承载能力的影响。
- **栅极源电压(VGS)**:±20V,这是器件正常工作的栅极电压范围。
2N7002E-VB是设计高效、高速和低功耗电子系统时的理想选择,尤其适用于需要小巧封装和出色电气特性的应用。
2024-01-02 上传
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