50A 30V低压MOS管:高性能特性与应用概述
需积分: 15 197 浏览量
更新于2024-08-05
收藏 1.45MB PDF 举报
本文主要介绍了一款50A 30V低压MOS管,型号为HU50N03。这款MOS管具有较高的性能指标和广泛的应用范围。以下是关于该器件的关键知识点:
1. **电压特性**:
- Drain-Source Voltage (VDS): 该MOS管支持30V的Drain-Source电压,确保了在高电压条件下稳定工作。
- Gate-Source Voltage (VGS): 允许的最大栅源电压范围是±20V,这对于控制和驱动MOS管开关动作至关重要。
2. **电流能力**:
- Continuous Drain Current (ID) 在不同温度下表现优异:在25℃时,持续工作电流为50A;在100℃高温下,仍能维持40A;在典型工作温度下(25℃)和较高温度(70℃)时,分别有13.6A和11.4A的连续电流能力。
- Pulsed Drain Current (IDM) 提供更高的峰值电流,达到110A,适用于脉冲负载条件。
3. **安全特性**:
- Avalanche Characteristics: 单次脉冲雪崩能量 (EAS) 达到57.8mJ,而Avalanche Current (IAS) 为34A,确保了过电压保护能力。
- Total Power Dissipation (PD) 在不同温度下给出功率损耗:在25℃时,总功耗为41W,在更严苛的环境温度下降低至2.42W,有助于散热设计。
4. **热性能**:
- Storage Temperature Range (TSTG): 该MOS管的工作和存储温度范围宽广,从-55℃到175℃。
- Operating Junction Temperature Range (TJ): 同样适用于-55℃到175℃的温度区间。
- Thermal Resistance (RθJA, RθJC) 分别表示结-环境和结-封装的热阻,其中RθJA = 62℃/W,RθJC = 3.6℃/W,这些数据对于评估散热需求和热管理设计至关重要。
5. **技术特点**:
- 高密度Trench Technology: 采用先进的高密度沟槽工艺,有助于提高效率和减少芯片面积。
- Green Device: 设备符合RoHS和绿色环保标准,适合环保型电源转换器应用。
- HU50N03特别适合于同步N沟道MOSFET,拥有出色的RDSON(导通电阻),对于需要低导通电阻的开关电路极为合适。
6. **封装类型**:
- TO252 Pin Configuration: 该MOS管采用常见的TO252封装,提供机械强度和散热性能。
总结来说,50A 30V低压MOS管HU50N03是一款高性能、高效率且具有良好热管理能力的开关元件,适用于对电流、电压、散热和成本有较高要求的电源转换和同步电路设计中。
2014-02-24 上传
2015-11-17 上传
2023-05-10 上传
2023-06-08 上传
2023-03-28 上传
2023-03-28 上传
2023-04-18 上传
2023-06-06 上传
2023-06-06 上传
![](https://profile-avatar.csdnimg.cn/cff71ee509ad40528a6f4e5127058cfc_weixin_50697266.jpg!1)
深圳市航誉微电子有限公司
- 粉丝: 62
- 资源: 28
最新资源
- Hadoop生态系统与MapReduce详解
- MDS系列三相整流桥模块技术规格与特性
- MFC编程:指针与句柄获取全面解析
- LM06:多模4G高速数据模块,支持GSM至TD-LTE
- 使用Gradle与Nexus构建私有仓库
- JAVA编程规范指南:命名规则与文件样式
- EMC VNX5500 存储系统日常维护指南
- 大数据驱动的互联网用户体验深度管理策略
- 改进型Booth算法:32位浮点阵列乘法器的高速设计与算法比较
- H3CNE网络认证重点知识整理
- Linux环境下MongoDB的详细安装教程
- 压缩文法的等价变换与多余规则删除
- BRMS入门指南:JBOSS安装与基础操作详解
- Win7环境下Android开发环境配置全攻略
- SHT10 C语言程序与LCD1602显示实例及精度校准
- 反垃圾邮件技术:现状与前景