Micron MT4LC1M16E5 DDR3 内存芯片技术规格详解

"ddr3中文数据手册MICRON-MT4LC1M16E5" 本文档是Micron公司关于DDR3内存芯片的中文数据手册，主要介绍了MT4LC1M16E5型号的16兆位（1MEGx16）EDO DRAM的详细规格和特性。DDR3内存是一种高速、低电压的动态随机存取存储器，广泛应用于各种电子设备，如个人电脑、服务器和嵌入式系统中。 关键时序参数在手册中占有重要地位，它们直接影响到内存芯片的性能和兼容性。以下是手册中列出的一些关键时序参数： 1. tRC：行刷新周期时间，指的是从一个行地址选择到下一次行地址选择之间的时间，包括了tRAS和tRP（行预充电时间）。 2. tRAC：行地址到列地址延迟，是从行地址选通到第一个数据有效出现在数据线上的时间。 3. tPC：行预充电时间，是指从一个行地址关闭到下一个行地址可以被选通的时间。 4. tAA：地址到数据输出延时，是从地址选通到数据有效出现在数据线上的时间。 5. tCAC：CAS（列地址选通）到数据输出延时，是从CAS信号发出到数据有效出现在数据线上的时间。 6. tCAS：列地址至数据输出时钟周期，是CAS延迟，表示从CAS命令发出到数据开始传输所需的时钟周期数。 手册中列出了两个速度等级的参数： - -5：访问时间为84ns，tRC为50ns，tRAC为20ns，tPC为25ns，tAA为25ns，tCAC为15ns，tCAS为8ns。 - -6：访问时间为104ns，tRC为60ns，tRAC为25ns，tPC为30ns，tAA为30ns，tCAC为17ns，tCAS为10ns。 此外，该DRAM芯片的特点包括： - 遵循JEDEC和业界标准的x16时序、功能、引脚布局和封装。 - 使用高性能的CMOS硅栅工艺制造。 - 单电源供电，可接受+3.3V±0.3V或5V±10%的电压。 - 所有输入、输出和时钟信号都与TTL兼容。 - 支持多种刷新模式，如RAS#-ONLY、CAS#-BEFORE-RAS#（CBR）和隐藏刷新；还支持可选的自刷新模式（S）。 - 支持字节写入访问周期。 - 提供1,024周期的刷新（10行地址，10列地址）。 - 实现了扩展数据输出（EDO）页面模式访问。 - 3.3V设备的5V耐受输入和I/O。 手册还提到了不同选项的标记和特性： - 电压标记：LC表示3.3V，C表示5V。 - 刷新地址：E5表示1,024行（1K行）刷新。 - 封装类型：包括塑料SOJ（400mil）和塑料TSOP（400mil）。 - 访问时间选项：-5表示50ns访问，-6表示60ns访问。 - 刷新速率：标准刷新（16ms周期），无刷新，以及自刷新（128ms周期）。 - 工作温度范围：商业级（0°C到70°C）。 这份Micron的DDR3中文数据手册提供了关于MT4LC1M16E5内存芯片的全面信息，包括其电气特性、时序参数、功能特点以及封装和操作选项，对于设计和调试使用这种内存的系统来说，是非常重要的参考资料。