AP2305CGN-HF-VB:SOT23封装P-Channel MOSFET,适用于移动计算
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更新于2024-08-03
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"AP2305CGN-HF-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应MOSFET,适用于移动计算设备的负载开关、笔记本适配器开关和直流直流转换器等应用。其关键特性包括TrenchFET®功率MOSFET技术,100%的Rg测试,并且在不同工作条件下具有低的导通电阻和快速的开关性能。"
这款MOSFET的主要规格如下:
1. **电压与电流能力**:它能承受的最大Drain-Source电压(VDS)为-30V,即可以处理最高30伏的反向电压。同时,它能提供连续的Drain电流(ID)最大可达-5.6A,在特定温度下,例如在25°C时,这个值可能会有所降低。
2. **导通电阻**:RDS(on)是衡量MOSFET导通时内部电阻的关键参数。在VGS=-10V时,典型RDS(on)为47mΩ,随着VGS电压的减小,RDS(on)会略有增加。更低的RDS(on)意味着在导通状态下,器件的功率损耗更小,效率更高。
3. **栅极电荷**:Qg是描述开关速度和开关损耗的参数,表示为11.4nC,它包括了栅极到源极、漏极到源极以及体二极管的电荷。较低的Qg意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。
4. **封装形式**:该MOSFET采用的是小型表面贴装的SOT23封装,这种封装节省空间,适合于高密度电路板布局。
5. **绝对最大额定值**:包括了Drain-Source电压、Gate-Source电压、连续和脉冲Drain电流等,这些数值定义了器件在不损坏的情况下可承受的工作条件。例如,门极-源极电压VGS不能超过±20V,连续Drain电流在不同温度下有所不同。
6. **热特性**:如最大结温(TJ)和存储温度范围(Tstg)为-55°C到150°C,以及不同条件下的最大功率耗散(PD)。热阻是衡量器件在散热方面性能的重要指标,影响器件在高功率应用中的稳定性。
7. **应用领域**:由于其小巧的封装和优良的电气特性,AP2305CGN-HF-VB特别适合于便携式电子设备,如移动计算设备的电源管理,如负载开关、笔记本适配器开关和直流直流转换器等,这些应用需要高效、低功耗的元件。
8. **制造与测试**:产品经过100%的Rg测试,确保了每个器件的可靠性和一致性,符合VBsemi公司的质量标准。
AP2305CGN-HF-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET,其设计考虑了高效、小型化和可靠性,广泛应用于现代电子设备的电源管理部分。
2024-03-13 上传
2024-03-25 上传
2024-03-14 上传
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2024-03-14 上传
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