2305CGN-HF-VB SOT23封装P沟道MOSFET:低RDS(on),适用于移动计算
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更新于2024-08-03
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"2305CGN-HF-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的P-Channel场效应MOS管,适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关和直流直流转换器等应用。该器件采用TrenchFET功率MOSFET技术,具有低导通电阻和快速开关性能。"
该MOSFET的主要特性包括:
1. **TrenchFET Power MOSFET技术**:这种技术利用沟槽结构来提高器件的密度和降低导通电阻,从而实现更好的能效和更小的封装尺寸。
2. **100% Rg测试**:确保了每个器件的栅极电阻(Rg)一致性,这对于控制开关速度和稳定性至关重要。
3. **额定参数**:在25°C条件下,源漏电压(VDS)的最大值为-30V,典型条件下,当栅源电压(VGS)分别为-10V、-6V和-4.5V时,导通电阻(RDS(on))分别为47mΩ、54mΩ和59mΩ。
4. **应用范围**:适用于移动计算设备,如笔记本电脑的电源管理,包括负载开关、笔记本适配器开关以及直流直流转换器,这些应用需要高效能、小型化的电子元件。
5. **绝对最大额定值**:门极-源极电压(VGS)为±20V,连续漏极电流(ID)在不同温度下有不同的限制,例如在25°C时为-5.6A,在70°C时为-4.3A。
6. **脉冲漏极电流**:瞬态最大漏极电流(IDM)为-18A,这表示在短时间内MOSFET可以处理的大电流脉冲。
7. **连续源漏二极管电流(IS)**:在25°C时,连续源漏二极管电流为-2.1A,用于二极管恢复或反向电流流动情况。
8. **最大功率耗散(PD)**:在25°C时为2.5W,随着温度升高,最大功率耗散会下降。
9. **热特性**:包括结温(TJ)和存储温度范围(Tstg),两者都可在-55°C至150°C之间,而热阻(RθJA)是衡量器件散热能力的一个关键指标。
综合以上信息,2305CGN-HF-VB是一款适用于需要高效能、低功耗和小体积的P-Channel MOSFET应用的产品,其设计和规格优化了在便携式电子设备中的使用性能。
2024-03-14 上传
2024-03-25 上传
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