英飞凌IPC045N10L3 MOSFET芯片中文规格书

"IPC045N10L3 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf" 本文档详细介绍了英飞凌（INFINEON）的IPC045N10L3 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），这是一款N沟道增强型MOSFET，主要用于工业及多元化市场应用。以下是该芯片的关键特性、电气性能参数和重要信息的详细解析。 首先，MOSFET是一种重要的半导体开关元件，其工作原理基于栅极电压控制源极与漏极之间的导通电阻。IPC045N10L3属于OptiMOS™3系列，这是一种优化的功率MOSFET芯片设计，旨在提供高效能和低损耗。该芯片的结构为裸片形式，不包含封装，便于集成到各种电路中。 关键性能参数方面，IPC045N10L3的最大额定 Drain-to-Source 静态击穿电压（V(BR)DSS）为100V，这表明它可以在不超过100V的电压下安全工作。此外，它的漏源导通电阻（RDS(on)）低至151毫欧，这意味着在导通状态下，芯片的内阻非常小，可以支持大电流并降低功耗。芯片尺寸为2.5x1.8毫米²，厚度为220微米，这样的小型化设计使得它适合在空间有限的电路板上使用。 在制造工艺上，IPC045N10L3的背面金属化采用NiV系统，而正面金属化则采用AlCu系统。这两种材料组合提供了良好的电性能和机械稳定性。芯片边缘的钝化层采用了氮化物，有助于保护芯片免受环境因素的影响。值得注意的是，这款芯片是静电放电敏感设备，应按照MIL-STD-883C标准进行处理，以防止潜在的静电损伤。 电气特性方面，表1列出了在25°C结温条件下，芯片的基本电气参数。这些参数包括阈值电压、栅极电荷、输入电容等，它们对于理解和预测芯片在实际电路中的行为至关重要。 最后，IPC045N10L3芯片没有明确的封装类型和标记信息，这意味着它通常会由客户或制造商根据需求进行封装和定制。相关的链接可能提供更多的技术资料，如BSZ150N10LS3 G的数据表，可以参考以获取动态特性的详细信息。 IPC045N10L3是一款高性能、低电阻的N沟道MOSFET，适用于需要高效能和紧凑尺寸的应用场合，如电源管理、电机驱动和开关电源等。其电气特性、制造工艺和敏感性要求都需要在设计和使用时予以考虑，以确保最佳性能和可靠性。