IPD60R3K3C6-VB N沟道TO252封装MOS管特性概述

IPD60R3K3C6-VB N沟道TO252封装MOS管知识点总结 **概述** IPD60R3K3C6-VB是一种N沟道TO252封装MOS管，具有低门控电荷、良好的栅极、雪崩和动态dV/dt ruggedness。该MOS管符合RoHS指令2002/95/EC，适用于各种电力电子应用。 **特点** * 低门控电荷Qg，结果是简单的驱动要求 * 改善的栅极、雪崩和动态dV/dt ruggedness * 完全描述的电容和雪崩电压、电流 * 符合RoHS指令2002/95/EC **参数** * 漏电压VDS：650V *导通电阻RDS(on)：2.1Ω（VGS=10V） * 门控电荷Qg：48nC * 门源电荷Qgs：12nC * 门漏电荷Qgd：19nC * 配置：单个MOS管 * RoHS：符合 **绝对最大额定值** * 漏电压VDS：650V * 栅源电压VGS：±30V * 连续漏电流ID：4.2A（TC=25°C），2.1A（TC=100°C） * 脉冲漏电流IDM：18A * 线性衰减系数：0.48W/°C * 单脉冲雪崩能量EAS：325mJ * 重复雪崩电流IAR：4A * 重复雪崩能量EAR：6mJ **应用** IPD60R3K3C6-VB MOS管适用于电源供应、DC-DC转换器、motor控制、电机驱动、照明系统等领域。 **技术优势** * 低门控电荷Qg简化了驱动电路的设计 * 良好的栅极、雪崩和动态dV/dt ruggedness提高了MOS管的可靠性 * 完全描述的电容和雪崩电压、电流有助于提高系统的效率和可靠性 **设计注意事项** * 在设计驱动电路时，需要考虑MOS管的门控电荷Qg和栅源电压VGS * 在选择MOS管时，需要考虑实际应用中的电压、电流和频率等参数 * 需要遵守RoHS指令2002/95/EC的要求，选择符合RoHS的MOS管 **结论** IPD60R3K3C6-VB N沟道TO252封装MOS管是一种高性能的MOS管，具有低门控电荷、良好的栅极、雪崩和动态dV/dt ruggedness等特点，适用于各种电力电子应用。