SST39VF800：8兆位多用途闪存芯片技术规格

"SST39VF800是一款8兆位（512Kx16位）的多功能闪存芯片，由Silicon Storage Technology公司生产。该芯片具有多种特性，如2.7-3.6V的单一电压读写操作、支持5V I/O的VDDQ电源供应（仅在SST39VF800Q型号上）、卓越的可靠性和低功耗设计。此外，它还具备小扇区擦除和快速读取功能，以及块擦除和字编程能力。" SST39VF800芯片是闪存存储解决方案的一个例子，主要用于需要非易失性数据存储的应用中。它的组织结构为512Kx16位，意味着它提供512K个地址行，每个地址行有16位数据线，总共能存储8兆位（1兆字节）的数据。这款芯片能够在2.7到3.6伏特的电压范围内进行读写操作，这使得它适合在各种电压环境下工作。 对于SST39VF800Q型号，有一个额外的VDDQ电源供应，它支持5伏的输入/输出电压，而SST39VF800型号则不提供此功能。这种设计是为了提高高速数据传输时的兼容性和稳定性。 在可靠性方面，SST39VF800芯片表现出色，其耐久性达到了10万次的写入周期（典型值），这意味着它可以承受大量的数据写入操作而不会损坏。此外，数据保留时间超过100年，确保了长期存储数据的安全性。 在功耗方面，这款芯片非常节能。在活跃状态下，平均电流仅为15毫安；在待机模式下，电流降至3微安；并且在自动低功耗模式下，电流同样保持在3微安。这些特性使其非常适合于电池供电或能源效率要求高的设备。 SST39VF800芯片支持小扇区擦除，每个扇区大小为256个扇区，每个扇区包含2K字（16位）。此外，还有块擦除功能，分为16个块，每个块为32K字。这种扇区和块擦除能力使得数据管理更加灵活，适合需要频繁部分擦除的应用。 快速读取访问时间是70或90纳秒，提供高效的读取性能。地址和数据都采用锁存方式，确保数据在读取过程中的稳定传输。快速扇区擦除和字编程时间分别是18毫秒（典型值），而全芯片擦除时间约为70毫秒，这些快速的操作时间使数据处理更为高效。 SST39VF800芯片是一款高性能、高可靠性的闪存存储解决方案，适用于需要低功耗、快速访问和灵活数据管理的各种电子设备，例如嵌入式系统、数据记录设备、工业控制应用等。