IRFR3707ZTRPBF-VB: 30V N沟道TO252封装高功率MOSFET特性与应用
155 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 403KB PDF 举报
IRFR3707ZTRPBF-VB是一款高性能的N沟道TO252封装MOSFET,它采用了先进的TrenchFET® PowerMOSFET技术,这种设计提供了出色的开关效率和低导通电阻。这款MOSFET的主要特点包括:
1. **高电压耐受**:该器件具有30V的耐压能力(Drain-Source Voltage, VDS),确保在高压电路中稳定工作。
2. **低导通电阻**:在VGS=10V时,其典型值RDS(on)为0.005Ω,这意味着在正常工作条件下,电流传输损失较小。
3. **高集成度**:N-Channel设计使其适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换器等应用,表面安装在1"x1" FR4板上,便于集成到电路板上。
4. **严格的测试标准**:100%的Rg和UISTest保证了器件的质量,符合RoHS 2011/65/EU指令,确保环保要求。
5. **安全工作条件**:最大连续工作状态下的结温限制为90°C/W,且在不同温度下有不同的电流限制。例如,在25°C时,最大连续漏极电流ID为90A,而在70°C时有所降低。
6. **脉冲操作能力**:对于短时间的脉冲操作,允许的最大脉冲漏极电流IDM为250A,而单脉冲雪崩能量EAS为94.8mJ,确保在过载情况下也能承受。
7. **内置保护特性**:有内置的源-漏二极管,允许连续源-漏电流IS高达90A,以及在特定条件下限制的功率损耗。
8. **温度范围**:IRFR3707ZTRPBF-VB的结温范围为-55°C至175°C,存储温度也在此范围内,适应各种环境条件。
9. **热性能**:提供不同的热阻值,如在25°C时的RthJC(Junction-to-case)为3.75°C/W,有助于散热管理,防止过热。
IRFR3707ZTRPBF-VB是一款专为高效率和高可靠性设计的N沟道MOSFET,适用于需要处理高电压和大电流的电子设备,特别是那些需要考虑散热和温度管理的应用。
2023-12-28 上传
2024-01-04 上传
点击了解资源详情
点击了解资源详情
点击了解资源详情
点击了解资源详情
2023-07-27 上传
点击了解资源详情
点击了解资源详情
![](https://profile-avatar.csdnimg.cn/9c4f80bbd049454a89a68628a5c999c7_vbsemi.jpg!1)
微碧VBsemi
- 粉丝: 6940
- 资源: 2246
最新资源
- 解决Eclipse配置与导入Java工程常见问题
- 真空发生器:工作原理与抽吸性能分析
- 爱立信RBS6201开站流程详解
- 电脑开机声音解析:故障诊断指南
- JAVA实现贪吃蛇游戏
- 模糊神经网络实现与自学习能力探索
- PID型模糊神经网络控制器设计与学习算法
- 模糊神经网络在自适应PID控制器中的应用
- C++实现的学生成绩管理系统设计
- 802.1D STP 实现与优化:二层交换机中的生成树协议
- 解决Windows无法完成SD卡格式化的九种方法
- 软件测试方法:Beta与Alpha测试详解
- 软件测试周期详解:从需求分析到维护测试
- CMMI模型详解:软件企业能力提升的关键
- 移动Web开发框架选择:jQueryMobile、jQTouch、SenchaTouch对比
- Java程序设计试题与复习指南