IRFR3707ZTRPBF-VB: 30V N沟道TO252封装高功率MOSFET特性与应用

IRFR3707ZTRPBF-VB是一款高性能的N沟道TO252封装MOSFET，它采用了先进的TrenchFET® PowerMOSFET技术，这种设计提供了出色的开关效率和低导通电阻。这款MOSFET的主要特点包括： 1. **高电压耐受**：该器件具有30V的耐压能力（Drain-Source Voltage, VDS），确保在高压电路中稳定工作。 2. **低导通电阻**：在VGS=10V时，其典型值RDS(on)为0.005Ω，这意味着在正常工作条件下，电流传输损失较小。 3. **高集成度**：N-Channel设计使其适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换器等应用，表面安装在1"x1" FR4板上，便于集成到电路板上。 4. **严格的测试标准**：100%的Rg和UISTest保证了器件的质量，符合RoHS 2011/65/EU指令，确保环保要求。 5. **安全工作条件**：最大连续工作状态下的结温限制为90°C/W，且在不同温度下有不同的电流限制。例如，在25°C时，最大连续漏极电流ID为90A，而在70°C时有所降低。 6. **脉冲操作能力**：对于短时间的脉冲操作，允许的最大脉冲漏极电流IDM为250A，而单脉冲雪崩能量EAS为94.8mJ，确保在过载情况下也能承受。 7. **内置保护特性**：有内置的源-漏二极管，允许连续源-漏电流IS高达90A，以及在特定条件下限制的功率损耗。 8. **温度范围**：IRFR3707ZTRPBF-VB的结温范围为-55°C至175°C，存储温度也在此范围内，适应各种环境条件。 9. **热性能**：提供不同的热阻值，如在25°C时的RthJC（Junction-to-case）为3.75°C/W，有助于散热管理，防止过热。 IRFR3707ZTRPBF-VB是一款专为高效率和高可靠性设计的N沟道MOSFET，适用于需要处理高电压和大电流的电子设备，特别是那些需要考虑散热和温度管理的应用。