没有合适的资源?快使用搜索试试~ 我知道了~
×电子科学与技术学报20(2022)100168简单的超声波辅助清洁石墨烯转移张卓成a,b,张晓秋艳a,b,胡敏a,b,*a电子科技大学电子科学与工程学院太赫兹研究中心,成都,610054b电子科技大学太赫兹技术教育部重点实验室,成都,610054A R T I C L EI N FO出版编辑:何保留字:化学气相沉积(CVD)清洁石墨烯转移超声波加工A B S T R A C T清洁石墨烯转移已经受到广泛的研究关注,其中大多数方法集中于清洁石墨烯的上表面以改进转移技术。然而,石墨烯底面上的残留物形成也是不可避免的;因此,清洁底面至关重要。在这项研究中,我们提出了一种改进的石墨烯湿转移方法,使用超声波处理(UP)步骤蚀刻铜(Cu)。 使用这种方法,可以有效地清洁底部表面。原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱图的结果表明,与不使用UP的石墨烯膜相比,使用UP转移的石墨烯膜具有更光滑和更清洁的表面,更少的污染和更高的质量。1. 介绍使用化学气相沉积(CVD)生长的石墨烯[1]已被用于电子、光子学、能源等领域的广泛应用。[2-在生长高质量CVD石墨烯方面已经投入了相当大的努力[8 通过CVD技术制备的石墨烯需要转移到所需的基底上。然而,这种转移过程通常会导致褶皱和污染,降低石墨烯的质量。研究人员回顾了石墨烯转移技术的发展[14石墨烯通常使用聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)作为支撑层来转移几种技术,如退火,等离子体处理,以及用松香或石蜡代替PMMA,已被用于提高石墨烯的质量[18- 30 ]。然而,大多数方法都集中在石墨烯的上表面但是,石墨烯底面上的残留物形成也是不可避免的。 以下因素主要导致石墨烯底面上的杂质:首先,在CVD过程中,石墨烯通常生长在铜箔的两面[1],必须去除生长在铜箔底面上的石墨烯。由于无法完全去除,铜箔底面上的石墨烯残留物会导致污染。除了残留的石墨烯之外,在实验过程中还引入了其他几种杂质,包括旋涂PMMA以及将石墨烯薄膜切成碎片。此外,石墨烯背面上的杂质在被转移到期望的衬底之后很难被去除。氧等离子体蚀刻(其常规地用于清洁Cu的底表面)可以去除沉积在Cu箱背面上的石墨烯Li等人通过抛光清洁Cu的底表面并实现适当的转移[31]。Ghoneim等人用硝酸(HNO3)处理Cu的底部表面,并制备具有特定接触电阻率的石墨烯。3.8 10- 5Ω cm2;这表明清洁Cu底部表面的重要性[18]。在传统的转移方法中,污染物和残留物不能通过清洁基底的底表面而被完全去除。* 通讯作者。电子科技大学电子科学与工程学院太赫兹研究中心,成都,610054。电子邮件地址:hu_m@uestc.edu.cn(M. 胡)。https://doi.org/10.1016/j.jnlest.2022.100168接收日期:2022年1月10日;接收日期:2022年4月25日;接受日期:2022年7月20日2022年8月5日在线发布1674- 862 X/©2022电子科技大学。Elsevier B. V.代表KeAi Communications Co. Ltd.提供的出版服务。这是CC BY-NC-ND许可证下的开放获取文章(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/)。可在ScienceDirect上获得目录列表电子科学与技术学报期刊主页:www.keaipublishing.com/en/journals/journal-of-electronic-science-and-technologyZ.- C. Zhang等人电子科学与技术学报20(2022)1001682×××××N一NJCu. 在这项研究中,我们提出了一个简单的改进,传统的PMMA转移方法制备高质量的石墨烯:超声处理(UP)10分钟,以蚀刻铜箔。使用这种改进的方法,可以有效地清洁Cu底部表面上的杂质,从而使石墨烯转移干净,残留物更少在这项工作中,石墨烯样品在SiO2/Si衬底上转移有和没有UP。通过使用光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱成像来评估石墨烯样品的质量2. 石墨烯转移法采用化学气相沉积(CVD)法在25μ m厚的铜箔上合成了石墨烯,并将其转移到分子量为950 k的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜上的SiO2/Si衬底上。 转移过程,如图所示。 1(a),包括以下步骤。1)将石墨烯膜(5cm× 5cm)用PMMA(在乳酸乙酯中4wt%)以2500rpm旋涂1分钟,并在100 ℃下烘烤1分钟。2)通过在50 W下氧等离子体蚀刻2分钟来去除沉积在Cu背面上的石墨烯;然而,没有实现完全去除3)将石墨烯切成小块(1cm× 1cm,或根据需要的其他尺寸)并蚀刻。对于Cu的蚀刻,我们用250 ml去离子水稀释10 ml 37% HCl和5 ml 30%H2O2首先用UP(40 kHz,80-W或200-W功率)蚀刻Cu 10 min,如图所示。1(b).然后,在没有UP的情况下继续Cu的蚀刻,直到Cu被完全蚀刻掉。蚀刻Cu的整个过程花费50 min。4)用去离子水冲洗石墨烯/PMMA膜,并用SiO2/Si衬底舀取将粘附到SiO2/Si衬底上的膜加热到150 ℃的温度30分钟。5)用丙酮除去PMMA膜,用去离子水冲洗石墨烯膜,并使用N2枪干燥。3. 结果和讨论使用Dimension EDGE仪器(Bruker,Inc.)尖端直径为20 nm。在20μ m × 20μ m的面积(256 × 256像素)上进行AFM映射我们使用Gwendidion软件提取粗糙度轮廓拉曼光谱是表征石墨烯性质的重要而方便的方法[32在本研究中使用的InVia雷尼绍拉曼光谱仪与532 nm的激光(50 mW的功率,1毫米的斑点大小)和50物镜我们通过确定D、G和2D峰的最大值来提取峰位置和强度在比较之前将光谱归一化在50μ m ~ 50μ m的范围内进行了拉曼映射,步长为2μ m。使用图1所示的方法,可以获得更清洁的铜箔底面。 2(a),当与传统的转移方法相比,如图所示。第2段(b)分段。这导致更清洁的石墨烯转移。 我们进行了高分辨率OM成像以分析石墨烯膜的形态,结果如图1A和1B所示。2(c)和(d)。显微图像的目视检查显示,用UP转移的石墨烯膜比不用UP转移的石墨烯膜具有更少的杂质。 我们通过简单的图像分割(10 μ m × 10 μ m的面积)粗略估计了缺陷密度,随后对斑点进行计数。有UP的杂质斑点数小于2个,而没有UP的杂质斑点数大于10个。为了确认用UP处理的石墨烯薄膜含有较少的杂质,在20 μ m × 20 μ m的面积上进行了纳米级AFM成像,如图所示。 3(a)和图。3(b)款。显然,UP确保了聚合物杂质和其他残留物的明显减少为了表征石墨烯的表面粗糙度,采用平均粗糙度(Ra)并定义为:R1/4X. z-z。(一)第1页其中z是高度zj的平均值,N是沿垂直线或水平线的点数因此,图1A和1B的Ra曲线分别为: 3(a)和(b)在图中显示。 四、这表明,用UP转移的石墨烯的Ra值约为1nm,这显著低于不用UP转移的石墨烯的Ra此外,UP后转移的石墨烯薄膜更光滑,更均匀。此外,我们还测量了石墨烯的电学性能的霍尔效应测量。然而,在UP的薄层电阻中没有观察到显著的变化,这意味着UP对薄层电阻没有明显的影响OM图像和高分辨率AFM图像表明,用UP转移的石墨烯膜比没有UP转移的石墨烯膜具有更少的杂质因此,通过应用UP方法可以获得高质量的石墨烯 我们还进行了拉曼光谱成像,以比较在有和没有UP的情况下转移的石墨烯膜的质量,结果如图所示。 五、图1.一、超声波辅助石墨烯转移方法:(a)完整转移过程的示意图和(b)用于蚀刻Cu的UP设置的照片。Z.- C. Zhang等人电子科学与技术学报20(2022)1001683×图二. 石墨烯转移方法的比较:石墨烯转移过程的示意图(a)与UP和(b)没有UP;高分辨率的光学图像的石墨烯薄膜上的二氧化硅/硅基板转移(c)与UP和(d)没有UP。图三. (a)用UP和(b)不用UP转移的SiO2/Si衬底上的石墨烯膜的AFM图像见图4。Ra曲线由图1得到。3 .第三章。如图如图5(a)所示,两种石墨烯样品的拉曼光谱对应于具有G和2D峰[32]以及约为2的2D/G比的典型单层石墨烯的拉曼光谱。然而,D峰的强度(图中的虚线红圈) 5(a))在用UP转移的石墨烯样品的拉曼光谱中的吸收峰是可忽略的。这表明用UP转移的石墨烯中的低水平缺陷密度和掺杂[35,40,41]。由于单个点的拉曼光谱不足以对大面积石墨烯样品的质量做出结论,我们获得了石墨烯样品50μ m50μ m区域的拉曼光谱的空间分布,这是在厘米尺度上然后,我们提取了D峰强度的空间分布,如图1A和1B所示。 5(b)和(c),表明用UP转移的石墨烯膜比不用UP转移的石墨烯膜具有更少的缺陷。因此,拉曼研究表明,可以通过应用UP方法获得高质量的石墨烯。Z.- C. Zhang等人电子科学与技术学报20(2022)1001684图五、在具有和不具有UP的情况下转移的SiO2/Si衬底上的石墨烯膜的拉曼光谱表征:(a)石墨烯膜的拉曼光谱,其中红色虚线圆圈指示D峰的强度的差异,并且黑点表示D、G和2D峰的位置。具有UP的石墨烯(b)和不具有UP的石墨烯(c)的D峰强度的图像D峰强度越低,石墨烯质量越高。具有UP的石墨烯(d)和不具有UP的石墨烯(e)的2D峰强度的图像UP的机制很容易解释。在这项工作中,我们使用稀释的H2O2/HCl溶液蚀刻Cu,这是由UP辅助的两者都是广泛使用的清洁技术。超声波清洗具有效率高、成本低、简单等优点[42]。此外,美国无线电公司(RCA)清洁,这是用于清洁硅晶片[43],通常包括一个解决方案的H2 O2/HCl,以消除离子和重金属污染物。Liang等人将相同的技术应用于石墨烯转移,并报告了对污染和裂纹形成的更好控制[44]。在我们的石墨烯转移技术中,用稀释的H2O2/HCl溶液和UP的Cu蚀刻步骤同时起到清洁Cu的作用然而,由于在超声波处理期间Cu箔的上表面不与溶液接触,因此仅清洁Cu的底表面通过结合两种清洁技术的优点,可以更有效地清洁底部表面。在传统的转移方法中,如果在转移过程中增加额外的步骤,则可能出现其他杂质或缺陷例如,如果退火温度高于400摄氏度,石墨烯中会产生更多的缺陷[26]。相比之下,本方法不引入其他杂质或缺陷,并且通过使用Cu和应用UP来保护石墨烯免受杂质影响我们还进行了UP在不同的输入功率(80 W和200 W),并获得了类似的结果。也就是说,所提出的方法比传统方法简单此外,该方法与其他清洁转移方法兼容,例如使用UP的石蜡启用石墨烯转移因此,可以使用本发明的方法获得具有干净的上表面和下表面的石墨烯提出的方法。4. 结论在这项工作中,我们提出了一种改进的清洁石墨烯转移方法,使用简单且具有成本效益的UP步骤来蚀刻Cu。 这种简单的方法可用于有效地清洁Cu的底部表面,从而获得高质量和清洁的石墨烯转移,如OM,AFM和拉曼光谱研究所证实的。此外,所提出的清洁转移方法可以与其他传统的改进方法相结合,例如退火和等离子体处理,这些方法主要集中在清洁石墨烯的上表面。 即使用松香或石蜡代替PMMA,也可以使用这种方法。因此,我们可以获得具有干净底面的石墨烯薄膜通过将我们的改进方法(清洁底面)与传统方法(清洁上表面)相结合,Z.- C. Zhang等人电子科学与技术学报20(2022)1001685可以制备具有非常高质量的石墨烯膜资金本研究得到了国家重点研究发展计划项目2005年12月号的资助2017年YFA 0701000号、2020年YFA 0714001号;国家自然科学基金61988102号、61921002号、62071108号;中央高校基础研究基金61988102号、61921002号、62071108号。ZYGX 2020 J003和No.ZYGX 2020ZB 007。竞合利益作者声明,他们没有已知的竞争性经济利益或个人关系,可能会影响本文报告的工作。确认感谢教授。中国科学院重庆绿色与智能技术研究院的魏兴展提供CVD石墨烯。引用[1] X.- S. 李伟W. Cai,J.An等人,在铜箔上大面积合成高质量和均匀的石墨烯薄膜,科学324(5932)(2009年5月)1312- 1314。[2] D. 阿金万德角Huyghebaert,C.H. Wang等人,石墨烯和硅技术的二维材料,自然573(7775)(9月。2019)507- 518.[3] J. - R. Cheng,F.范,S.- J. Chang,用于可调相位和偏振控制的石墨烯官能化超颖表面的最新进展,纳米材料9(3)(Mar. 2019)398,1-25。[4] H.秦,J. - D.孙,S.- X. Liang等人,基于双层石墨烯场效应晶体管的室温、低阻抗和高灵敏度太赫兹直接探测器,Carbon 116(2017年5月)760- 765。[5] X.- Y. Chen,Z.天,Y.-C. Lu等人,基于石墨烯索尔兹伯里屏混合超颖表面的电可调谐完美太赫兹吸收体,Adv.选购配件Mater. 8(3)(2020年2月),1900660,1-9。[6] P. - N. Li,T. Wang,H. Bo eckmann,T. Taubner,石墨烯增强红外近场显微镜,NanoLett. 14(8)(2014)4400- 4405。[7] Y.-- Q. Li,W. Li,M. Wojcik等人,石墨烯的光辅助重氮官能化和反应性中的空间不均匀性,J. Phys. Chem. Lett. 10(17)(2019年8月)4788- 4793。[8] H. 王X-Z. 徐杰-Y. Li等人,自由分子束流下铜箔表面单晶化快速生长大单晶石墨烯,Adv. Mater. 28(40)(2016年10月)8968- 8974。[9] L. 林,J. -C. 张洪-S. Su等人,走向超净石墨烯,自然。Commun. 10(4月)2019)1912,1-7。[10] J. - C. 张丽林,K.-C. 贾湖Z. 孙,H.-L. 彭,Z-F. Liu,单晶石墨烯薄膜的受控生长,Adv.Mater. 32(1)(Jan.2020),1903266,1-27.[11] J. - C.张湖Z.孙,K.- C. Jia等人, 新的增长前沿:超净石墨烯,ACS Nano 14(9)(2020年8月)10796- 10803。[12] J. - C.张,K.- C.贾湖,加-地Lin等人,“通过用二氧化碳选择性蚀刻无定形碳来大面积合成超净石墨烯”,Angewandte Chemie Intl. 第一卷,第二版。58号不行第41页。14446-14451,10月2019年。[13] Y.-- F. Hao,M.S.巴拉蒂湖Wang等人,The role of surface oxygen in the growth of large single-crystal graphene on copper,Science 342(6159)(Nov. 2013)720- 723.[14] Y.-- Q.宋,W.- T.邹角,澳-地卢湖,加-地林志- F.刘,石墨烯转移:为化学气相沉积石墨烯的应用铺平道路,小17(48)(12月17日)。2021),2007600,1-14.[15] S. 乌拉,X.-Q. 杨,H.-Q. Ta等人,石墨烯转移方法:综述,纳米研究。 14(11)(2021)3756- 3772,2月[16] B.- Z. 庄胜Y. 李,S.-Y. Li,J.尹,消除石墨烯上PMMA残留物的方法-超净石墨烯,碳173(3月。2021)609- 636。[17] F.- Z. Qing,Y.-F. 张玉-T. 纽河,巴西-地Stehle,Y.F. 陈锡铭S. Li,Towards large-scale graphene transfer,Nanoscale 12(20)(Apr.2020)10890- 10911。[18] M.T. Ghoneim,C.E.史密斯,M。Hussain,简化的石墨烯转移过程及其对接触电阻的影响,Appl.Phys.Lett。102(18)(2013年5月),183115,1-4。[19] K.库马尔,Y. S.金,E.- H. Yang,热退火去除聚合物残留物对石墨烯的电子掺杂和形态特征的影响,Carbon 65(2013年12月)35- 45。[20] J. - H.帕克,W。荣格,D. Cho等人,化学气相沉积石墨烯上的聚(甲基丙烯酸甲酯)薄膜的简单,绿色和清洁去除,Appl. Phys. Lett. 103(17)(2013年10月),171609,1-4.[21] J. Song,F.Y.Kam,R.Q.Png等人,将石墨烯转移到软表面上的一般方法,Nat.纳米技术。8(5)(Apr.2013)356 - 362。[22] G.- P. Zheng,Y.陈洪- H. Huang等人,通过目标衬底的超声处理改进CVD生长的石墨烯的转移质量:用于超快激光光子学的应用,ACS应用。Mater. 接口5(20)(10月2013)10288- 10293。[23] B.H.儿子,H.S. Kim,H. Jeong,J.Y.帕克,S。李永祥<英>香港实业家。Ahn,用于石墨烯转移的PMMA层的电子束诱导去除,Sci. Rep. 7(2017年12月),18058,1-7。[24] Z.- K. 张杰-H. 杜,D.-D. Zhang等人,松香使石墨烯的超净和无损伤转移用于大面积可伸缩有机发光二极管,自然。Commun. 8(2017年2月),14560,1-9。[25] L- H. 刘伟J. 尚角,澳-地Han等人,二合一石墨烯转移方法:有机发光二极管的简化制造工艺,ACS Appl.Mater. 接口10(8)(2018年2月)7289- 7295。[26] H.帕克角,澳-地Lim,C.J. Lee等人,优化的聚(甲基丙烯酸甲酯)介导的石墨烯转移过程,用于制造高质量的石墨烯层,纳米技术29(41)(8月。2018),415303,1-10.[27] W.S. Leong,H.-Z. Wang,J.Yeo等人, Paraffin使能的石墨烯转移,Nat. Commun. 10(2月2019)867,1-8。[28] X.- W.张志- H.吴,H- R. Zheng等人,高品质石墨烯转移通过金属基板的定向蚀刻,纳米11(34)(2019年8月)16001- 16006。[29] X. Shen,D. Wang,J. Ning,et al.,MMA使超净石墨烯转移用于快速响应石墨烯/GaN紫外光探测器,碳169(2020年11月)92- 98。[30] Y.-- C. 林角,英-地C. 吕正赫<英>来华传教士。是的,C.-H. Jin,K.Suenaga,P.W.Chiu,石墨烯退火:它能有多干净Nano Lett. 12(1)(2012)414- 419。[31] X.- S.李,Y. W. Zhu,W.- W. Cai等人,用于高性能透明导电电极的大面积石墨烯薄膜的转移,Nano Lett. 9(12)(2009)4359- 4363。[32] A.古普塔湾Chen,P. Joshi,S.塔迪加达帕省Eklund,支撑的n-石墨烯层膜中高频声子的拉曼散射,Nano Lett. 6(12)(2006)2667- 2673。Z.- C. Zhang等人电子科学与技术学报20(2022)1001686[33] S. Krause,E.Ploetz,J. Bohlen等人, 通过单分子DNA折纸荧光探针和拉曼光谱表征的玻璃上石墨烯制备和清洁方法,ACS Nano 15(4)(Apr. 2021年)6430-6438。[34] R.J.扬湖龚,洛杉矶。金洛克岛里亚兹河Jalil,K.S. Novoselov,石墨烯单层纳米复合材料中的应变映射,ACS Nano 5(4)(2011年4月)3079- 3084。[35] L.G. Cancado,A. Jorio,E.H. Ferreira等人,通过拉曼光谱在不同激发能量下量化石墨烯中的缺陷,Nano Lett. 11(8)(2011)3190- 3196。[36] S. 克劳斯,M.H.Overgaard,T.Vosch,光子能量依赖的显微拉曼光谱与连续激光源,科学。众议员8日(8月10日)2018),11621,1-6.[37] I.洛杉矶儿童Jauregui,J.- F.天,Y.-陈平,利用拉曼光谱和电子输运测量研究氧等离子体蚀刻对石墨烯的影响,New J. Phys. 13(2)(2月2011),025008,1-12。[38] E.J. Heller,Y.扬湖,澳-地Kocia等人,石墨烯拉曼散射理论,ACS Nano 10(2)(2010年1月)2016)2803- 2818。[39] 江河,巴西-地Pachter,F. Mehmood,A.E.伊斯兰湾Maruyama,J. J. Boeckl,用于表征缺陷单层石墨烯的拉曼光谱特征:通过理论分析的缺陷诱导的I(D)/I(D')强度比,Carbon 90(Aug. 2015)53- 62。[40] J. 严,Y.-B. Zhang,P.Kim,A.Pinczuk,石墨烯中电子-声子耦合的电场效应调谐,Phys. Rev. Lett. 98(16)(Apr.2007),166802,1-4.[41] A. Eckmann,A.Felten,A.Mishchenko等人,通过拉曼光谱探测石墨烯中缺陷的性质,Nano Lett。 12(8)(2012)3925- 3930。[42] e.V. 罗希纳山口Lens,J.陈晓,低频超声在生物技术中的应用,中国生物技术杂志。 27(5)(2009年5月)298- 306。[43] W. 王文,硅晶片清洗技术的发展,北京,中国科学院。Electrochem. Soc. 137(6)(Jun. 1887- 1892年。[44] X.- L. Liang,文学学士斯珀林岛Calizo等人,朝着清洁和无裂纹的石墨烯转移,ACS纳米5(11)(10月。2011)9144- 9153。张卓成1993年出生于四川。他得到了B. S。2016年毕业于成都电子科技大学他目前正在攻读博士学位。电子科技大学电子科学与技术专业他的研究兴趣包括石墨烯超材料、太赫兹技术、近场光学、纳米成像和纳米光谱学。张晓秋艳,1995年出生于山东。她得到了B. S。2016年毕业于山东科技大学应用物理专业她目前正在攻读博士学位。电子科技大学电子科学与技术专业 她的研究兴趣包括自由电子束激发的辐射和极化激元、太赫兹技术、近场光学、纳米成像和纳米光谱学。胡敏1981年出生于山东。他收到了他的B.E. 2003年毕业于浙江大学,获博士学位。2009年毕业于UESTC。2011年至2012年,他在剑桥的麻省理工学院(MIT)担任博士后。现任电子科技大学电子科学与工程学院太赫兹研究中心教授。他还在电子科技大学太赫兹技术教育部他的研究兴趣包括太赫兹近场光学、真空电子器件和微波理论与应用。
下载后可阅读完整内容,剩余1页未读,立即下载
![pdf](https://img-home.csdnimg.cn/images/20210720083512.png)
![pdf](https://img-home.csdnimg.cn/images/20210720083512.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://csdnimg.cn/download_wenku/file_type_ask_c1.png)
![](https://profile-avatar.csdnimg.cn/default.jpg!1)
cpongm
- 粉丝: 4
- 资源: 2万+
上传资源 快速赚钱
我的内容管理 收起
我的资源 快来上传第一个资源
我的收益
登录查看自己的收益我的积分 登录查看自己的积分
我的C币 登录后查看C币余额
我的收藏
我的下载
下载帮助
![](https://csdnimg.cn/release/wenkucmsfe/public/img/voice.245cc511.png)
会员权益专享
最新资源
- 京瓷TASKalfa系列维修手册:安全与操作指南
- 小波变换在视频压缩中的应用
- Microsoft OfficeXP详解:WordXP、ExcelXP和PowerPointXP
- 雀巢在线媒介投放策划:门户网站与广告效果分析
- 用友NC-V56供应链功能升级详解(84页)
- 计算机病毒与防御策略探索
- 企业网NAT技术实践:2022年部署互联网出口策略
- 软件测试面试必备:概念、原则与常见问题解析
- 2022年Windows IIS服务器内外网配置详解与Serv-U FTP服务器安装
- 中国联通:企业级ICT转型与创新实践
- C#图形图像编程深入解析:GDI+与多媒体应用
- Xilinx AXI Interconnect v2.1用户指南
- DIY编程电缆全攻略:接口类型与自制指南
- 电脑维护与硬盘数据恢复指南
- 计算机网络技术专业剖析:人才培养与改革
- 量化多因子指数增强策略:微观视角的实证分析
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议,欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理!
点击此处反馈
![](https://img-home.csdnimg.cn/images/20220527035711.png)
![](https://img-home.csdnimg.cn/images/20220527035711.png)
![](https://img-home.csdnimg.cn/images/20220527035111.png)
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
![](https://csdnimg.cn/release/wenkucmsfe/public/img/green-success.6a4acb44.png)