片上微波平面谐振器品质因数的研究进展

工程科学与技术，国际期刊20（2017）460审查提高片上微波平面谐振器品质因数的研究进展Olebogeng BoneKobe，Joseph Chuma，Rodrigo Jamisola Jr.，马修斯选择博茨瓦纳国际科技大学电气、计算机和电信工程系，博茨瓦纳阿提奇莱因福奥文章历史记录：2016年4月19日收到2016年9月23日修订2016年9月30日接受2016年11月29日在线发布关键词：品质因数微带基片集成波导平面整合A B S T R A C T本文综述了微波片上谐振器的品质因数（Q-factor），以及提高Q-factor的技术。该评论讨论了平面微带和波导结构，与后者的集成出现作为替代笨重和昂贵的非平面波导。尽管其巨大的Q-因素，传统的波导不支持集成和封装。虽然微带支持低成本的封装和大规模制造，但由于高导体和衬底损耗，它们受到低Q介绍了集成波导结构，研究了提高片上器件Q此外，总结了片上平面微带和平面波导之间的过渡©2016 Karabuk University. Elsevier B.V.的出版服务。这是CCBY-NC-ND许可证（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）。内容1.导言. 4601.1.微带461概述1.2.衬底集成波导4611.3.质量系数4612.微带分析4612.1.布局优化4622.2.图案化接地屏蔽（PGS）4622.3.差分激励4622.4.负电阻4633.SIW分析4633.1.SIW 463的损耗和Q因子3.2.SIW的增强Q因子4.混合集成4645.基板材料对谐振器性能的影响4646.结论465参考文献4651. 介绍对便携式和高效的无线设备的需求促使对高质量（Q因子）的集成电路的需求，*通讯作者。电子邮件地址：olebogeng. studentmail.biust.ac.bw（O.B. Kobe）。由Karabuk大学负责进行同行审查。在高频率下的水平集成这些电路包括平面微带谐振器[1]和平面集成波导[2]。尽管具有小电路尺寸和高集成密度的优点[3，4]，但平面谐振器由于导体和衬底损耗而遭受巨大的传输损耗[5，6]。然而，它们在微波和毫米波频率上的应用是不可避免的，因此激发了对损耗降低机制的研究，以提高Q因子和电路性能。因此，各种损失减少-http://dx.doi.org/10.1016/j.jestch.2016.09.0242215-0986/©2016 Karabuk University.出版社：Elsevier B.V.这是一篇基于CC BY-NC-ND许可证的开放获取文章（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）。可在ScienceDirect上获得目录列表工程科学与技术国际期刊杂志主页：www.elsevier.com/locate/jestchO.B. Kobe等人/工程科学与技术，国际期刊20（2017）460461¼[7]和Q-增强[8]方法，其中一些技术将在本文的后续章节中讨论。1.1. 微带概述集成传输线（微带）是设计低成本小型化微波电路（如滤波器和天线）的最基本元件。多年来，微带电路被用于在射频（RF）范围内的较低频率下的滤波应用。这些电路以其低成本、易制作、平面性等具有微带和波导电路互补优势的高性能电路[26]。一些出版物介绍和讨论了这些结构，并在本手稿的第31.3. 品质因子作为品质因数，Q因子决定了任何谐振结构的性能它被定义为正弦激励下每个周期存储的能量与总能量损失的比率Q因子由（1）描述，如[27]中所述，以及与固态器件集成的能力。即使具有上述优点，电路也会经历过多的导电和磁感应损耗[10]。虽然辐射和介电损耗也很重要，但由于损耗亚微米级的欧姆损耗基板和金属迹线是整体的两个主要贡献者。Q2p能量储存每循环2pEmag;max-Emax;maxPav g1a电路的损耗。这将导致非常低的Q-因子为片上元素的元素相比，他们的芯片外的同行。微带电路的性能趋势、建模和设计[11-这些技术中的一些在本文第二节中介绍和讨论1.2.基片集成波导基片集成波导（SIW）[18-这些是衬底集成电路（SICs）[22]，由浸入介质衬底中的双排导电槽组成，该介质衬底连接衬底两侧的两个板像微带结构一样，它们受到导体、辐射和介电损耗的影响[23]，限制了它们的性能。尽管损耗与导体和衬底材料有关，但SIW具有矩形波导的特性，例如高Q因子和低辐射损耗，具有将尺寸减小到原始尺寸的1/2[24]倍的额外优势此外，SIW的无载Q因子远大于微带电路的无载Q因子[19]，因此它们是高频IC的基本元件。一些SIC是SIW和微带的组合，通常作为混合集成[25]。将集成电路应用于高频器件提供了另一种解决方案其中，Emag，max和Emax，max分别是最大磁能和最大电能，Pavg是平均功耗。等式（1a）和（1b）表明Q因子高度依赖于每个循环的能量损失量能量损失的增加导致低Q因子，促使需要Q增强机制。尽管报道了几种Q增强技术[2，9，25，28，29]，但在平面结构中难以实现高Q因子。本文讨论了Q本文的结构如下：第一节介绍了片上和基片集成谐振器，第二节分析了片上微带谐振器和提高Q值的方法，第三节分析了考虑Q值的基片集成波导，第四节评述了传统平面结构与非平面结构在单个基片上的混合集成，第五节评述了基片材料特性及其对谐振器性能的2. 微带分析在其最简单的形式中，微带谐振器由两个金属导体组成，由介电衬底隔开，如图1所示。基板上的悬浮金属迹线是带状线，而下面的金属板是接地平面。微带线用于开发各种形状的电感器，如图2所示。具有最少边数的电感器是方形螺旋[31，32]，而具有无限边数的电感器是方形螺旋[31，32]，端口1LsRsc）、端口2考克斯考克斯Csub Rsub图1.一、微带几何形状a）侧视图，b）俯视图，以及c）等效集总电路[30]。¼462O.B. Kobe等人/工程科学与技术，国际期刊20（2017）460¼SpS4Σ Σ5图二. 螺旋电感器的布局a）正方形，b）八角形，和c）圆形[37]。俄.西我Ls图三. 等效于终端接地电感器，用于模拟Q因子[40]。是一个圆形的螺旋[33由于尖角处的电流拥挤效应[36]，前者具有高电感值但具有低Q因子，而后者具有较低的电感值但具有较高的Q因子。Shi等人[8]报道了一种提高片上螺旋电感Q因子的有效方法。他们专注于圆形螺旋，平面螺旋感应器家族中最好的布局结构。这些螺旋使用较少的芯片面积，同时利用大块的金属导体，这降低了串联电阻[30]。尽管更好的Q-因素，由于较少的串联电阻，螺旋普及是非常低的，因为它是难以布局相比，其他形状。这使得方形螺旋更受欢迎，因为它易于布局。Talwalkar等人分析和合成了片上电感器，并报告了[38]电感器的几个限制。他们指出，电场和磁场渗透到基底中是限制螺旋性能的因素。此外，电流在微带线中的重新分布和相邻导体引起的电流衰减也会降低螺旋线的螺旋特性。虽然螺旋和衬底参数对于建模Q因子都很重要，但在低频下，衬底损耗因子（FS）和自谐振因子（FR）[39]几乎等于1。因此，只有电感器存储的磁能对于Q因子评估是重要的。这意味着图3的电路中的并联支路对于Q因子公式可以被忽略，从而导致（2）。磁场进入衬底，引起一些涡流[40，43这些电流增加了衬底损耗，导致螺旋性能和Q因子降低，因此引入了几种Q因子增强技术来补偿能量损耗和Q改善。这些技术中的一些如下。2.1. 布局优化布局优化[47]技术通过改变螺旋电感器的金属宽度来优化每匝金属走线在Craninckx和Steyaert[48]发现螺旋电感器中的串联电阻是由内匝的布置引起的之后，在过去二十年中引入了这种方法，强调小半径是高频欧姆损耗的主要贡献者根据他们的研究，螺旋中心的电场感应会在内匝中产生涡流因此，涡电流的产生导致电流分布的不均匀性，从而导致内匝中的高串联电阻。Lopez-Villegas等人使用该技术在硅基多芯片技术中设计了一个方形螺旋电感器，并辅以硅微机械加工后处理，并在3.5 GHz频率下观察到60%的Q因子改善[47]。最近，Pei et al.将相同的技术应用于具有不均匀带材宽度和不均匀缠绕间距的方形螺旋，获得了42.86%的改进[27]。可见，微带电感的物理结构和布局对Q值的提高起着非常2.2. 图案化接地屏蔽（PGS）图案化接地屏蔽（PGS）[39]是被发现用于增强硅基RFIC的片上螺旋的性能的各种技术之一[8]。该技术将电场短接到接地层。它被图案化为与螺旋电感器正交的槽，以通过切断电流路径来消除感应电流回路[39]。这些槽明显更窄，以防止垂直电场进入硅衬底下。Pokharel和刘在Ref。[49]提出了一种低损耗、高选择性的片上带通滤波器，该滤波器采用改进的折叠结构开环谐振器和PGS。类似地，Liao et al.QxLs俄.西ð2Þ见参考文件[8]证明了适当的PGS可以有效地补偿Q因子的退化，从而改善电感器的QPGS技术有效地减少了其中x是角频率，单位为拉德，Ls是串联电感并且Rs是电感器的串联电阻。频率的增加导致Q因子由于FS和FR而显著降低，导致[39-41]中的（3）衬底耦合电阻[14]。Tao Zheng等人使用该技术并在低电阻率硅晶片上获得了高Q值[50]。Q¼xL26R37“1-俄.西SR2CsCp-x2LsCsCp2.3. 差动励磁RsRp. xLs21RLsð3Þ差分电路[51]通常用于开发单声道，石制收发器设计，由于其鲁棒性和非常高的噪声抑制特性[52]。虽然这种拓扑结构用于IC中，但它们实际上用于通过连接来激励螺旋电感器其中，中间项表示FS，最后项表示发送电路的FR。符号Cp和Rp分别为耦合电容和耦合电阻，Cs为金属线之间的串联电容[40]。微带线Q值的限制因素是金属化的Rs.造成这种限制的其他因素是通常从1到10×-cm的导电衬底损耗。这些在硅基衬底因为硅的导电性[42]。的主要原因衬底损耗是通常由将源极直接连接到螺旋电感器[42]第42段。差分激励方法将涡电流循环显著减少30 - 50%[三在 0.35μ m 的 衬 底 上 制 作 了 外 径 为 220μm 、 螺 旋 宽 度 为16μm、线圈间距为2μm的匝螺旋电感器单多晶硅，四金属CMOS工艺[30]。该设计产生3.1的差分Q因子，比2.5GHz处的单端激励的QRp Cp Cs#O.B. Kobe等人/工程科学与技术，国际期刊20（2017）460463Q¼WeffW w d. - 是 的-H2WK-1C1 -f0表1文献中报道的Q-改善技术总结方法原始-Q最终-Q改进其他参考文献布局优化17@1.5GHz40@3.5GHz[47]超过60%[11，17，58，59]差分激励6.6@1.6GHz9.3@2.5GHz[52]超过50%[30，42，51]负阻3.84@3.1GHz4.73@3.7GHz[60]超过20%[43，53，54]PGS5.08@2.0GHz6.76@2.0GHz[39]超过30%【8，39，61】其中d是每个通孔的直径，W和L是波导的物理宽度和长度，而s是两个相邻通孔之间的中心到中心的距离。3.1. 基片集成波导的损耗和品质因数基片集成波导的损耗分为三个主要因素，即导体损耗、介电损耗和辐射损耗。这些结构表现出的导体损耗是由于金属层和通孔的有限导电性，而介电损耗是由于介电基板的损耗角正切。此外，通常非常小的辐射损失是由于沿壁的SIW结构中的间隙造成的[72]。由于这些都是非常小的，他们可以忽略在计算的总Q-因子（QT）由（6）在参考。[23].见图4。 一个基片集成波导的几何结构[76].1 1QT¼QD1公司简介ð6Þ2.4. 负阻负电阻是一种损耗补偿机制，其引入幅度为-Rs的负电阻，以降低损耗。其中，1DtanDKRð7Þ螺旋形迹线中的主要欧姆损耗。在这种情况下，负电阻与+Rs串联放置，以抵消或减少+Rs[43]造成的损耗量。[53-57] 报道了这种方法带状电感器”[57]《明史·卷五·列传第二十七》：QCdb8符号b表示用于TE101模式中的谐振的SIW的形状因子，.3 = 2EFFWþ回来技术成果中更高的Q因子，产生负反馈 这补偿了导体损耗相关的Q-因子，从而提高了总的Q-因子的分辨率，WeffLhb¼2H.W12EFF200升1H22019年12月26日ÞΣð结构（表1）。3. SIW分析在参考文献中引入SIW。[18-该技术可将波导尺寸减小到e1/2其中，Weff、Leff和h是SIW分别基片集成波导和矩形波导的场分布相似，这因此，从传统的矩形波导导出的表达式用于计算SIW的衰减因子αC，因此上述（4）中的W_eff是矩形波导的等效宽度，p12.f02h=wf0R[75]传统的矩形波导管。虽然他们具有高Q值和低损耗，优于片上螺旋、SIW结构仍然很大，无法集成到前端设备中，因此仍需要进行尺寸减小的研究。图4示出了这些结构的物理几何形状，其中金属通孔表示：aC一 Fpfe ee� �pfpeFr201年1月1日至2003年2月31日。ffiffiffifffi0ffiffiΣffiffiffi2ffiffi谭EFFð10Þ11将连接两侧两块金属板的槽的结构。由金属通孔实现的矩形特性表示：发送矩形波导有效宽度（Weff），D是一个很好的例子。ffiffiffiffiffiffiΣffiffiffi2ffiffiF我的天对应于所考虑的模态传播特性SIW。最常见的是，（4）和（5）中提出的参考文献。[2377]第2377章：aR¼12019 - 02- 2801：01：00Q.ffiffiffi2ffiffiffiffiΣffiffi2ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi:ð12ÞD2W有效/W-0： 95秒44秒D2L有效值1/4 L-0： 95秒，50秒当量（11）表示由于导体损耗引起的衰减因子，其中h是衬底厚度，e0是空间的介电常数，eR是衬底的介电常数，f0是SIW的截止频率，f是工作频率，rC是金属的电导率[78]。当量（12）表示由于介电损耗引起的衰减因子，其中c是WFEFF2EFFEFFEFF用于计算波导的有效宽度和长度四点八十五分9Þ464O.B. Kobe等人/工程科学与技术，国际期刊20（2017）460光由辐射损耗引起的衰减由（13）表示，其中k是在特定工作频率下电介质中的波长。从（11）到（13），SIW的衰减常数[78aO¼aCaDaR;133.2. 基片集成波导的Q因子增强传统上，矩形波导具有超过10，000的非常高的Q因子。然而，它们集成到平面形式呈现出由于尺寸减小而引起的一些损耗，以及由介电材料引起的损耗。尽管存在这些限制，但是对诸如衬底厚度、通孔直径和通孔间间距的几何参数的修改使损耗最小化，并且因此提高了SIW的品质因数。如参考文献[23]中所述，SIW的Q因子与衬底厚度成正比，并且用较厚的衬底实现高Q。尽管如此，它在高频下不能与矩形波导的Q因子相比，微带具有最低的Q因子。SIW电路的增强的总Q因子需要与介电损耗（QD）和导体损耗（ QC ） 相 关 的 改 进 的 个 体 Q 因 子 一 种 改 进 的 基 片 集 成 波 导（MSIW），[68]使用空气切割来分别减少和增加介电损耗和QD。然而，所提出的结构遭受能量损失，由于导体损耗导致低QC。参考文献[7]中也应用了这种方法，其中去除了SIW的中心部分，在两排通孔之间留下了空气填充。Ghiotto等人在参考文献[1]中报道了一种充气基片集成波导。[80，81]。他们证明了充气基片集成波导在传输损耗降低和Q因子改善方面优于介质填充基片集成波导最近，Tong等人在参考文献[79]中提出了一种在非常薄的玻璃衬底中具有槽封装通孔（TPV）的SIW。结果表明，在传输损耗显着减少，使玻璃在非常高的频率理想的封装基板尽管没有报告Q因子值，但很明显，玻璃降低了基板上的场强，并且由于Q因子高度依赖于电场和磁场的量，因此假设它们的设计由于降低的场强而提供高Q4. 混合集成混合集成[81-图五. 微带到波导。在同一基板上的电路该技术结合了传统微带和非平面结构（如矩形波导[82]）的优点，以构建高性能SIC。互补优势在组合制造平台内合并，其中非平面结构被合成并转化为平面形式[3，22，25]。在文献中报道了几种发展，其中实现了平面结构和非平面结构之间的过渡近年来最常见的转变是传统平面结构向非平面结构的转变[2，6，71，84，85]。Dominic Deslandes和Ke Wu[2]早期开发了一种新的平面平台，使用锥形微带线将微带线和矩形波导集成在单个衬底因此，需要3D安装结构来设计具有高Q因子的集成平面矩形波导。过渡基本上由一个锥形微带线互连到微带和波导都不同的宽度，如图5所示[6]。Wang等人在参考文献[84]中设计了两个半模SIW滤波器，这两个滤波器都使用了微带-HMSIW过渡。他们实现了具有低插入损耗和良好选择性的三极和五极滤波器。与传统的基片集成波导相比，他们的建议在尺寸和通带与杂散通带之间的空间方面表现出更大的改进。最近，Belenguer等人在参考文献[85]中报道了一种新型空基片集成波导（ESIW）。他们的建议在11至19.5 GHz的频率范围内产生更好的性能，具有低损耗和改善的-Q5. 基板材料对谐振器性能的影响衬底材料在集成电路的整体性能中起着至关重要的作用。最重要的参数，考虑时，sider设计一个基板集成器件是基板这是由于具有高电阻率和低介电损耗的材料倾向于增强谐振电路的性能[86]。基板技术的发展始于陶瓷技术，随后是有机材料，最近是硅。最近，人们对玻璃作为2.5D/3D应用的基板更感兴趣[87与硅相比，玻璃被证明提供更好的电气性能。尽管玻璃是绝缘体，并且在导电性方面被硅边缘化，但由于可以调节其热性能，因此玻璃提供了可靠性性能[87]。玻璃基板的报道，在参考文献。[88，90几种其他材料，如低温共烧陶瓷（LTCC）被认为适用于各种应用，其中使用具有优异导电性的金属，如金和银。低温共烧陶瓷具有较低的介电常数和低的插入损耗。这使其成为RF和微波应用的理想基板。硅衬底[39，41，86，95]是最常用的，因为它具有优异的热稳定性。Trott和Shorey研究了玻璃和硅的机械性能，他们报告说，用于集成电路的薄化硅基板已成为满足消费应用所需的封装形状因子的常见工艺[96]。尽管如此，薄化的硅衬底难以处理，表2用于MIC设计的各种基板材料的特性。参考文献材料介电值损耗角正切热导率[九十七]FR44.50.0250.25-[九十七]Duroid 6010.2 LMTM10.20.00230.860 W/m-K[九十八]玻璃4.5-5.50.02-0.030.2 W/m-K[九十八]HTCC8.5-100.0005-0.0025-25W/m-KO.B. Kobe等人/工程科学与技术，国际期刊20（2017）460465器件衬底载体基板键合基板减薄基板去键合基板见图6。 用于硅衬底减薄工艺的临时键合载体[96]。因此需要使用临时结合的载体衬底来辅助处理。减薄衬底的步骤如图所示。 六、6. 结论虽然SIW在较高频率下提供高Q，但较大的尺寸被证明是生产集成RF应用的限制因素。随着对非常小和便携式RF gad-gets的需求，螺旋电感器的普及程度不断提高。低成本、易于制造和小尺寸的优点使其成为大多数RF应用的最合适的组件。尽管传输损耗巨大，但螺旋电感应用广泛，其应用已渗透到毫米波段。它们在非常高的毫米波频率下的应用随着60 GHz无线局域网和77 GHz防撞汽车雷达市场的巨大吸引力而增长[99]。因此，对这些RF元件进行更多的研究，以提高整体性能和更高频率下的Q因子非常重要。引用[1] J.C. Rautio，V. Demir，用于电磁分析的微带导体损耗模型，IEEE Trans. Microw.理论技术 51（3）（2003）915-921。[2] D. Deslandes，K.吴，集成微带线与平面矩形波导，IEEE Microw。威尔。组件列表11（2）（2001）68-70。[3] K.吴，用于毫米波无线系统的低成本高密度集成的衬底集成电路（SICs），2008IEEE无线电。Symp. RWS（2008）683-686。[4] A. Doghri，T.杰罗尔德湾吴，高密度集成的多维基片集成三比五[5] M. 博济湖佩雷格里尼湾吴，以边界积分共振模式展开法模拟基片集成波导中的导体、介电和辐射损耗，IEEE Trans.Microw。理论技术56（12）（2008）3153-3161。[6] H.库马尔河贾达夫黄文，基片集成波导及其微带互连的研究进展，北 京 大 学 出 版社，2001 。电子学。Commun. Eng. 3（5）（2012）36-40。[7] P. Mohammadi，S.基片集成波导结构中的损耗降低。电磁铁。Res. C 46（2013）（2014）125-133.[8] J. Shi，W.Y. Yin，H.廖俊锋Mao，高温下图案化接地屏蔽电感器的Q因子增强，IEEE Trans.Magn.42（7）（2006）1873-1875。[9] X.陈，含表面粗糙度效应的微带线导体损耗的电磁建模，IEEE Microw。威尔。组件列表17（2）（2007）94-96。[10] A.M. Niknejad，R.G. Meyer，导电衬底上的涡流损耗分析及其在单片电感器和变压器中的应用，IEEETrans. Microw. 理论技术 49（1）（2001）166-176。[11] R.R.马尼坎丹河Vanukuru，V. Narayana，A.查克拉沃蒂湾Amrutur，高Q可变宽度和间距、平面和3-D堆叠螺旋电感器的设计和建模，在：第18届国际Symp. VLSI设计Test，2014，pp.1比6[12] Z.简，Y. Yuanwei，Z.扬角陈世兴，高Q微波MEMS谐振器，Dans Symp. Des.测试，整数打包MEMS/MOEMS，2007，p. 一比四[13] S. Su，S.吴角，加-地赖，Y。泰，W。Lin，S.关，玻璃衬底上螺旋电感器的IPD分析和建模，在：ICMMT 2008 Proceedings，2008。[14] J. Olivo，S.卡拉拉湾De Micheli，用于植入式生物传感器远程供电的印刷螺旋电感器的建模，2011年，第100页。29-32号。[15] K.鸭川湾Nishikawa，T.张文，一种基于Si 3D MMIC技术的新型高Q电感器及其应用，IEEE Radio Freq. Integr. CircuitsSymp.（1999）6-9。[16] 陈志荣，高品质因数电感器之设计，硕士论文，2004。[17] R.R. Manikandan，V.纳拉亚纳河Vanukuru，A.Chakravorty，和B.Amrutur，高Q值、可变宽度和间距螺旋电感器的参数化单元设计，在：IEEE国际微波和RF会议，2014年，pp.312- 315[18] G. Angiulli，D. De Carlo，S.特林加利湾Amendola，E. Arnieri，使用支持向量回归机建模SIW谐振器，PIERS Proceedings，Cambridge，2008，pp. 406- 409[19] Z.陈威洪，陈建，周俊，高Q值可调谐基片集成波导谐振器的设计及其在低相位噪声压控振荡器中的应用，IEEE Microw.威尔。组件列表23（1）（2013）43-45。[20] Z.Q. Xu，Y.施鹏，王俊雄。Liao，X.B.魏，六边形谐振器基片集成波导滤波器，电磁学杂志。Waves Appl.26（11-12）（2012）1521-1527.[21] S. 库 马 里 山 ， 巴 西 - 地 Srivastava ， Losses in waveguide and substrateintegratedwaveguide （SIW ）For Ku Band ：a comparison ，Int. J. Mod. Eng.Res. 3（1）（2013）53-57.[22] K.吴玉君，郑德良.杰勒什湾洪，基片集成毫米波和太赫兹天线技术，Proc.IEEE100（7）（2012）2219-2232。[23] A.A. Khan，M.K.曼达尔，S。Sanyal，衬底集成波导谐振器的无载品质因数及其随衬底参数的变化，2013年国际会议Microw。Photonics，ICMAP 2013，no. 1，2013，pp. 13-16.[24] Q. PinJie，Z. Yong，Y.薄，一种新型的毫米波基片集成波导（SIW）滤波器埋在LTCC，Proc.2008亚太Microw。Conf. APMC 2008，pp. 2008年7[25] D. Deslandes，K.吴，平面电路与波导滤波器之单一基板整合技术，IEEE，微电子工程学报。理论技术51（21）（2003）593- 596。[26] K.W.K. Wu，D. Deslandes，Y.王文，高功率半导体集成电路的研究，第六届国际光电技术会议论文集。萨特尔。有线广播。Serv. 2003. TELSIKS 2003，vol. 1，2003，pp. 2比9[27] S.裴，Z. Wanrong，H. Lu，J. Dongyue，X.洪云，提高非均匀金属宽度和非均匀线圈间距的RF螺旋电感的品质因数，J. Semicond. 32（6）（2011）1-5。[28] Y. Lee，J. Lim，C.金，小型微带螺旋谐振器及其在微波振荡器中的应用，卷。号1210，2002，pp.375-377.[29] A. Eroglu，微带电感器的设计与实现，第26届年会。Rev. 进展应用计算电磁铁。（2010）858-861。[30] R.L. 邦 奇 警 探 Sanderson ， S. 拉 曼 ， 差 分 IC 实 现 中 的 品 质 因 数 和 电 感 ， IEEEMicrowave Mag. 3（2）（2002）2-7。[31] A. 辛格A.Kaur，使用人工神经网络工具箱和粒子群优化合成RFIC的片上方形螺旋电感器，Adv. Electron.Electr.Eng.3（8）（2013）933-940。[32] C. Pacurar，V. Topa，A.拉卡桑角蒙泰亚努角Hebedean和D. Rafiroiu，方形螺旋电感器的高频建模，在：电气和电力工程国际会议和博览会（EPE 2014），16-18十月，拉西，罗马尼亚，2014，no.10，pp.622-626[33] B. Mehta，M.周文，圆形螺旋电感器的设计，硕士论文。 J. Appl. Eng. Res.7（11）（2012）8-12.[34] K.C. Chao，M.F.艾因周文，周文，等，圆螺旋天线阵的建模与仿真，北京大学学报，2001。电子学。Commun. Eng. 9（2）（2014）19-22.[35] K.K.萨曼塔身份证高性能多层圆形螺旋电感在先进的光成像技术，IEEE Trans. 组件、包装制造商Technol. 4（12）（2014）1981-1988年。[36] J. - C. Guo，纳米硅CMOS中毫米波电感器模拟和设计的邻近效应和趋肤效应的分析建模，2014 IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. (2)（2014）1-4。[37] A. Yen，晶圆支持对SoC设计和实现至关重要，发布芯片设计。Mag.2007，[在线 ] ， 可 从 www.example.com 获 得 http://chipdesignmag.com/display 。 php ？articleId=964，[访问日期：2016年4月14日]。[38] N.A. Talwalkar，C.P. Yue，S.S.黄，片上螺旋电感的分析与合成，IEEE Trans.电子器件52（2）（2005）176-182.[39] C.余志稳，S.S.黄，硅基射频集成电路的带图案化接地屏蔽的片上螺旋电感器，IEEE J.固态电路33（5）（1998）743-751。[40] J. Chen，J. Liou，用于RF应用的片上螺旋电感器：概述，J。半秒钟。技术科学4（3）（2004）149-167。[41] K. Benaissa，J.Y. Yang，杨氏D.克伦肖湾Williams，S. Sridhar，J. Ai，G. Boselli，S.Zhao ， S. Tang ， S. Ashburn ， P. Madhani ， T. Blythe ， N. Mahalingam ， H.S.Shichijo，用于系统级芯片应用的高电阻率衬底上的RF CMOS，IEEETrans. 电子器件50（3）（2003）567-576.[42] M. Danesh，J.R. Long，R.A.哈达威市张文，微波集成电路电感器的品质因数提升技术 ，1998 年 ，IEEE MTT-S Int. Symp. Dig. (Cat. No.98CH36192 ） ， 第1卷 ，1998，pp. 2比5[43] T. Soorapanth，S. Wong，A 0-dB IL 2140 +/- 30 MHz bandwidth filter utilizing Q-enhanced spiral inductives in standard CMOS ， IEEE J. Solid-State Circuits 37（5）（2002）579-586.[44] Y.高士中Zardareh，X.杨TX Nan，Z.Y. Zhou，M. Onabajo，M. Liu，中国粘蝇A.Aronow，K. Mahalingam，B.M. Howe，G.J. Brown，N.X.孙，GHz集成螺线管的显著增强电感和品质因数，IEEE Trans. 电子器件61（5）（2014）1470-1476。[45] A. Naderi，M. Sawan，Y. Savaria，一种用于低功率RF应用的1 mW 2 GHz Q增强型LC带通滤波器，第三届国际IEEE东北工作。电路系统会议NEWCAS 2005，vol.2005，2005，pp.365-368[46] B.乔治斯库Pekau，J. Haslett，J. McRory，并联谐振LC回路的可调谐耦合电感器Q增强，IEEE Trans. 电路系统 II模拟数字信号处理。 50（10）（2003）705-713。[47] J.M. López-Villegas，J. Samitier，C.李志华，电路设计与制造，硕士论文，国立成功大学电机工程研究所硕士论文。理论技术48（1）（2000）76-83。[48] J. Craninckx，M.S.陈志华，一种低相位噪声CMOS压控振荡器的设计，国立成功大学电子工程研究所硕士论文，2001。466O.B. Kobe等人/工程科学与技术，国际期刊20（2017）460[49] R.波卡雷尔角Liu，A high-selectivity，low-insertion loss 60GHz band on-chip 4-pole band pass filter for millimeter wave CMOS SoC，2011 Eur. Microw.积分电路会议，号October，2011，pp.660-663[50] T. Zheng，M.，中国科学院昆虫研究所所长。汉，G.许湖，加-地罗，一种新颖的具有悬浮高Q螺旋电感和图案化接地屏蔽的全集成低插入损耗滤波器，Prog. 电磁铁。Res. C 59（August）（2015）41-49.[51] M.T. Reiha，T. Y.崔，J. - H.全，S。Mohammadi，L.P.B. Katehi，用于RFIC设计的高Q差分电感器，Microw. Conf. 2003. 33欧元，2003，pp.127比130[52] M. Danesh，J.R.长，差分驱动对称微带电感，IEEE Trans. Microw. 理论技术 50（1）（2002）332-341。[53] 联合陈文，高振强，高功率半导体有源电感的设计与实现，2000。Symp. 电路系统瑞士日内瓦，号5，2000，pp.589-592.[54] C.安德里塞湖Goras，关于具有模拟电感器的RF带通滤波器的频率和品质因数独立调谐可能性，Rom.J.Inf.Sci. 11（4）（2008）367-382。[55] S.班塔斯岛Koutsoyannopoulos，具有耦合电感器Q增强和中心频率调谐的CMOS有源LC带通滤波器，IEEE Trans. 电路系统II模拟数字信号处理。 51（2）（2004）69-76。[56] D. Beifort，N.贝约Aboushady，M.M. Louërat，S. Catunda，使用CAIRO+的Q增强LC带通滤波器，2009年第16届IEEE国际电子电路系统会议，ICECS 2009（3）（2009）860-863。[57] S. Wang，R.X.王，一种在0.18um CMOS中使用Q增强和半无源电感器的S波段可调谐带通滤波器，Prog.电磁铁。Res. B，Vol.28，55号282011年1月，pp.55比73[58] F.帕索斯，M.H.菲诺河Moreno，Elisenda，可变宽度集成螺旋电感器的分析表征，在：集成电路和系统的国际会议混合设计，2013年，第100页。586-591。[59] 纳拉亚纳河Vanukuru，A. Chakravorty，高Q特性的可变宽度电感器与反向激励，卷。61号不行9，2014，pp.3350-3354。[60] K.D. Pham，K. Okada，K. Masu，通过使用负阻抗电路提高片上电感器的品质因数，2006，pp.115-118.[61] J.N.伯格哈茨湾Rejaei，硅上RF螺旋电感器的设计，IEEETrans. 电子器件50（3）（2003）718-729.[62] X.- C.张志- Y.余军，徐军，基于互补缝环谐振器的新型基片集成波导带通滤波器，北京：清华大学出版社。电磁铁。第72（2007）号决议第39-46段。[63] 王世文，K. Wang，Z.N. Chen，Q.X.朱立文，基于基片集成波导电耦合的毫米波带通滤波器设计，IEEEMicrow。威尔。组件列表 24（1）（2014）26-28。[64] X.陈威洪，T. Cui，Z. Hao，K.吴，基于基片集成波导（SIW）的对称双模滤波器，电子工程89（1）（2006）67-70。[65] B. Potelon，J.F.法韦内克角Quendo，E.里乌斯角Person，J.C.Bohorquez，采用新型耦合拓扑结构的基片集成波导（SIW）滤波器设计，IEEE Microw。威尔。组件列表18（9）（2008）596-598。[66] R. Li，X.唐氏F.肖，高选择性基片集成波导横向滤波器的设计，IEEE Microw。威尔。组件列表20（6）（2010）328-330。[67] 问：L. 张文玉Yin，S.他，L.-S. 吴，具有互补开口环谐振器的小型基片集成波导带通滤波器，IEEEMicrow. 威尔。组件列表 20（8）（2010）426-428。[68] N. Ranjkesh，M. Shahabadi，《基载复合材料和多基载复合材料中的损失机制》，Prog. 电磁铁。Res. B 4（2008）299-309.[69] A. Patrovsky，M. Daigle，K.吴，毫米波宽带过渡从共面波导基板集成波导电厚高 介 电 常 数 基 板 ， 在 ： Proc. 第 37 集 Microw. Conf. EUMC ， 不 。 October ，2007，pp.138- 141。[70] M. Bozzi，A. Georgiadis，K.吴，基片集成波导电路和天线的综述，IET微波，中国科学院，卷号52011年8月