用1K×4位的DRAM芯片构成4K×8位的存储器。 （1）存储器扩展采用的是哪种扩展方式？ （2）画出该存储器组成的逻辑框图。 （3）采用异步刷新方式，如最大刷新间隔为2ms，则相邻两行之间的刷新间隔是多少？

(1) 存储器扩展采用的是列扩展方式。
(2) 逻辑框图如下所示：

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            /|    |\
           /_|_0_|_|
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         /_|_1_|_|
        /|    |\
       /_|_2_|_|
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     /_|_3_|_|
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   /_|_4_|_|
  /|    |\
 /_|_5_|_|
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其中，竖线表示DRAM芯片，下划线表示地址线，数字表示DRAM芯片的行地址。
(3) 最大刷新间隔为2ms，因此相邻两行之间的刷新间隔为：

刷新间隔 = 最大刷新间隔 ÷ 存储行数
         = 2ms ÷ 4K
         ≈ 0.5μs

因此，相邻两行之间的刷新间隔为0.5μs。