怎么用1K×2位的RAM存储器芯片构成3K×4位的存储器。

要构成3K×4位的存储器，可以使用24个1K×2位的RAM存储器芯片。具体做法是将这些芯片分成3组，每组8个芯片，每组对应存储器的一列，即每组存储4位数据。对于每组芯片，将它们的数据线和地址线分别连接到存储器的相应输入端和地址输入端，这样就可以实现3K×4位的存储器。需要注意的是，由于每个RAM存储器芯片只能存储2位数据，因此在使用时需要将其扩展为4位，可以通过外部电路实现。

相关问题

一个64K×8位的存储器可由多少个存储芯片构成

一个64K×8位的存储器共有64KB = 64 × 1024字节，每个字节占8位，所以总共有64 × 1024 × 8 = 524288位。如果每个存储芯片的容量为1K×8位，那么一个存储器就需要64个存储芯片。因为 64 × (1K × 8位) = 64 × 1024 × 8位 = 524288位。所以，一个64K×8位的存储器需要64个1K×8位的存储芯片构成。

利用多片1K×4位的SRAM芯片设计存储容量为2K×8位的SRAM存储器，画电路图

抱歉，作为语言模型，我无法绘制电路图，但我可以为您解答这个问题。

首先，我们需要知道一个1K×4位的SRAM芯片可以存储1K个4位的数据，也就是说，一个1K×4位的SRAM芯片可以存储4K位的数据。因此，我们需要使用两个1K×4位的SRAM芯片来设计一个2K×8位的SRAM存储器。

下面是具体的电路设计：

1. 首先，我们需要将两个1K×4位的SRAM芯片按照以下电路图进行连接：

     +--------+      +--------+
     |        |      |        |
     |   IC1  |      |   IC2  |
     |        |      |        |
A0 --|        |      |        |-- Q0
A1 --|        |      |        |-- Q1
A2 --|        |      |        |-- Q2
A3 --|        |      |        |-- Q3
OE --|        |      |        |-- OE
WE --|        |      |        |-- WE
Vcc -|        |      |        |-- Vcc
Gnd -|        |      |      -- Gnd
     |        |      |        |
     +--------+      +--------+

其中，IC1和IC2分别是两个1K×4位的SRAM芯片，A0、A1、A2、A3是地址线，Q0、Q1、Q2、Q3是数据线，OE是输出使能信号，WE是写使能信号，Vcc和Gnd分别接电源和地。

2. 接下来，我们需要将IC1和IC2的地址线和控制信号与一个地址解码器相连接，用于选择哪个SRAM芯片进行读写操作。这里我们使用一个2-4译码器（74LS139）进行地址解码，电路图如下：

          +---+
      A0 --|   |------- IC1.OE
      A1 --|   |------- IC2.OE
      A2 --|   |------- IC1.WE
      A3 --|   |------- IC2.WE
          |   |
      G1 -|   |
      G2 -|   |------- GND
          |   |
         Y0--|   |------- IC1.A0
         Y1--|   |------- IC2.A0
         Y2--|   |------- IC1.A1
         Y3--|   |------- IC2.A1
          +---+

其中，A0、A1、A2、A3是输入地址线，G1和G2是使能信号，Y0、Y1、Y2、Y3是输出信号，分别连接到IC1和IC2的地址线上。

3. 最后，我们将IC1和IC2的数据线Q0~Q3与一个8位三态门（74LS245）相连接，用于选择哪个SRAM芯片的数据进行输出。电路图如下：

     +--------+
     |        |
     |  IC1   |
     |        |
Q0 --|        |
Q1 --|        |      +---+
Q2 --|        |------|   |------- D0
Q3 --|        |------|   |------- D1
     |        |------|   |------- D2
     |        |------|   |------- D3
     |        |      |   |------- D4
     |        |      |   |------- D5
     |        |      |   |------- D6
     |        |      |   |------- D7
     |        |      +---+
     +--------+
         | OE
         |
         |
         |
         | WE
         |
         |
     +--------+
     |        |
     |  IC2   |
     |        |
Q0 --|        |
Q1 --|        |      
Q2 --|        |     
Q3 --|        |     
     |        |      
     +--------+      

其中，D0~D7是输出数据线，OE和WE是输出使能信号，连接到IC1和IC2的OE和WE上。当需要从IC1中读取数据时，将74LS245的DIR引脚设置为低电平，从IC2中读取数据时，将DIR引脚设置为高电平。

这样，我们就完成了一个存储容量为2K×8位的SRAM存储器的设计。