DDR2 SDRAM在上电后是如何进行初始化的？初始化步骤有哪些，模式寄存器是如何设置的？在突发模式下数据是如何被访问的？

在对DDR2 SDRAM进行上电初始化时，确保遵循一系列严格步骤和时序规范至关重要。首先，DDR2 SDRAM上电后，需要经过一系列的初始化步骤，以确保内存模块能够正确地与系统交互。初始化步骤大致包括：

参考资源链接：[DDR2中文手册：操作指南与初始化流程](https://wenku.csdn.net/doc/7pyykdm091?spm=1055.2569.3001.10343)

1. 上电延迟（Power-up sequence）：在时钟稳定后，需要等待100μs～200μs以确保所有内部电路稳定。

2. 初始化命令序列（Reset and Initialization Command Sequence）：通过一系列命令如PRECHARGE ALL命令关闭所有bank，接着发出八次REFRESH命令以稳定内部时钟，然后是模式寄存器设置（MRS）命令，最后执行EMRS命令来设置EMRS寄存器。

3. 模式寄存器设置（Mode Register Set, MRS）：包括设置CAS延迟（CL）、突发长度（BL）、突发类型（BT）、操作模式等。MRS命令将DDR2 SDRAM的模式寄存器设定为特定的工作状态。

4. 进入正常工作模式：通过发出ACT命令激活特定bank，之后可以开始读写操作。

在突发模式（Burst Mode）下，一旦选择了起始列地址，数据将以预先设定的突发长度按顺序快速传输。突发长度通常是4或8字节，突发模式下可以实现高效率的数据访问。同时，突发访问模式中，DDR2 SDRAM支持自动预充电（Auto Precharge），当突发访问完成后，无需额外命令即可自动关闭当前活动bank，准备下一个命令的到来。

突发模式下的数据访问还涉及到地址设置，其中地址线不仅用于指定目标bank和行地址，还用于确定突发访问的起始列地址。一旦设置了突发模式和起始地址，DDR2 SDRAM可以连续快速地进行读写操作。

为了更深入理解DDR2 SDRAM的初始化步骤和突发模式下的数据访问，推荐查阅《DDR2中文手册：操作指南与初始化流程》。本手册不仅详细描述了DDR2 SDRAM的关键操作和时序规范，而且提供了实用的操作指南和状态转换图，帮助设计者和开发者更好地理解和应用这种高性能内存技术。

参考资源链接：[DDR2中文手册：操作指南与初始化流程](https://wenku.csdn.net/doc/7pyykdm091?spm=1055.2569.3001.10343)