stm32uint8_t中的理解.
时间: 2023-08-17 10:15:15 浏览: 177
在STM32中,uint8_t是一个无符号的8位数据类型,它占用1个字节的地址空间。[1]它可以理解为无符号的8位二进制数据,范围从0到255,全部是正数,没有负数。[2]然而,需要注意的是,当我们输出uint8_t类型的变量时,它实际上输出的是对应的字符,而不是真实的数字。例如,如果我们有一个uint8_t类型的变量fieldID,其值为67,当我们使用cerr输出时,会输出字符'C',而不是数字67。这是因为uint8_t实际上是一个char类型,cerr会将其输出为对应的ASCII码字符。[1]如果我们想要输出真实的数字67,我们可以使用强制类型转换,将fieldID转换为uint16_t类型,然后再输出。这样,输出结果就会是field=67。[3]所以,在处理uint8_t类型的变量时,需要注意输出和类型转换的细节。
相关问题
dma接收双缓存 stm32_STM32 DMA双缓冲模式应用示例
在STM32中,DMA的双缓冲模式可以通过配置DMA的通道控制寄存器来实现。下面是一个示例代码,可以帮助你理解如何使用STM32的DMA双缓冲模式。
首先,需要定义两个缓冲区,用于DMA的读写操作。在本示例中,我们假设缓冲区大小为16字节。
```c
#define BUFFER_SIZE 16
uint8_t buffer1[BUFFER_SIZE];
uint8_t buffer2[BUFFER_SIZE];
```
然后,需要配置DMA通道的控制寄存器。在本示例中,我们使用DMA1通道1,并启用双缓冲模式。
```c
DMA_HandleTypeDef hdma;
hdma.Instance = DMA1_Channel1;
hdma.Init.Direction = DMA_PERIPH_TO_MEMORY;
hdma.Init.PeriphInc = DMA_PINC_DISABLE;
hdma.Init.MemInc = DMA_MINC_ENABLE;
hdma.Init.PeriphDataAlignment = DMA_PDATAALIGN_BYTE;
hdma.Init.MemDataAlignment = DMA_MDATAALIGN_BYTE;
hdma.Init.Mode = DMA_CIRCULAR;
hdma.Init.Priority = DMA_PRIORITY_HIGH;
hdma.Init.FIFOMode = DMA_FIFOMODE_DISABLE;
hdma.Init.FIFOThreshold = DMA_FIFO_THRESHOLD_FULL;
hdma.Init.MemBurst = DMA_MBURST_SINGLE;
hdma.Init.PeriphBurst = DMA_PBURST_SINGLE;
HAL_DMA_Init(&hdma);
__HAL_DMA_DISABLE(&hdma);
hdma.Instance->CR |= DMA_SxCR_DBM;
```
接下来,需要启动DMA传输。
```c
HAL_DMA_Start(&hdma, (uint32_t)&peripheral_device, (uint32_t)buffer1, BUFFER_SIZE);
```
在DMA传输期间,当缓冲区1已经被填满时,DMA会自动切换到缓冲区2进行数据传输。当缓冲区2也被填满时,DMA会再次切换回缓冲区1。
当需要读取DMA传输的数据时,可以通过检查DMA传输期间使用的缓冲区来获取传输的数据。
```c
uint8_t* buffer = (hdma.Instance->CR & DMA_SxCR_CT) ? buffer2 : buffer1;
```
最后,在传输完成后,需要停止DMA传输并释放DMA通道。
```c
HAL_DMA_Stop(&hdma);
HAL_DMA_DeInit(&hdma);
```
以上就是一个基本的DMA双缓冲模式的示例代码。需要注意的是,在使用DMA双缓冲模式时,需要保证缓冲区大小足够大,以避免数据溢出。
stm32f103c8t6flash读写例程
### 回答1:
您好,以下是STM32F103C8T6的Flash读写例程:
#include "stm32f10x.h"
#define FLASH_PAGE_SIZE ((uint16_t)x400)
void Flash_Write(uint32_t address, uint16_t data)
{
FLASH_Unlock(); //解锁Flash
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); //清除标志位
while (FLASH_ErasePage(address) != FLASH_COMPLETE); //擦除页
FLASH_ProgramHalfWord(address, data); //写入数据
FLASH_Lock(); //锁定Flash
}
uint16_t Flash_Read(uint32_t address)
{
return *(uint16_t*)address; //读取数据
}
int main(void)
{
uint16_t data = x1234;
uint32_t address = x08008000;
Flash_Write(address, data); //写入数据
data = Flash_Read(address); //读取数据
while (1);
}
以上代码实现了Flash的写入和读取操作,其中Flash_Write()函数用于写入数据,Flash_Read()函数用于读取数据。在main()函数中,先写入数据x1234,然后读取该地址的数据并将其赋值给变量data。最后程序进入死循环。需要注意的是,Flash的写入操作需要先解锁Flash,写入完成后再锁定Flash。同时,为了保证数据的正确性,写入前需要先擦除Flash页。
### 回答2:
STM32F103C8T6是意法半导体公司(STMicroelectronics)推出的一款低功耗微控制器,它具有高性能、低功耗、成本低廉的优点。它的Flash读写例程是一种用来对该微控制器进行程序存储和更新的软件,可以帮助程序员将代码写入STM32F103C8T6的闪存中,并从闪存中读取存储的数据。
首先,我们需要学习STM32F103C8T6的闪存结构以及其对应的地址和特性。该微控制器的闪存大小为64KB,可以读出单个字节和单个字,也可以写入单个字节和半字。在进行闪存读写时,我们需要使用相关的寄存器,例如FLASH_ACR、FLASH_CR、FLASH_SR等。这些寄存器可以控制STM32F103C8T6的闪存时钟、操作大小、编程、擦除等其他的特性。
接下来,我们可以根据需要编写闪存读写代码。例如,我们可以在程序中使用以下函数来读取闪存中保存的数据:
```
uint32_t read_from_flash(uint32_t addr)
{
return *(uint32_t*)addr;
}
```
该函数接受一个地址作为参数,并返回从该地址开始的数据。我们也可以使用以下函数来将数据写入闪存:
```
uint8_t write_to_flash(uint32_t addr, uint32_t data)
{
FLASH_Unlock();
FLASH_ErasePage(addr);
FLASH_ProgramWord(addr, data);
FLASH_Lock();
return 0;
}
```
该函数先解锁STM32F103C8T6的闪存,然后擦除该地址对应的闪存页,并将数据编程到该地址中,最后锁定闪存以避免数据损坏。在进行闪存读写时,我们需要注意一些细节,例如闪存擦除的时间以及闪存编程的次数等。如果闪存读写失败,我们可以通过绿色、橙色和红色的LED指示灯来进行故障诊断。
总之,STM32F103C8T6的闪存读写例程对于嵌入式开发人员来说是一个非常重要的工具,可以帮助他们将程序写入或者从闪存中读取数据。我们需要深入理解闪存结构、寄存器和相应的代码实现,以便正确地使用这些示例代码并编写自己的应用程序。
### 回答3:
STM32F103C8T6作为一款ARM微控制器,其Flash读写操作非常重要。Flash具有降低失效率、数据可靠性高等优点,在嵌入式系统中被广泛使用。在实际应用中,Flash的读写操作都需要通过相应的API完成。以下是STM32F103C8T6 Flash读写例程的详细介绍。
首先,在进行Flash读写操作之前,需要开启Flash时钟,并使能Flash。代码如下:
```
RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_FLASH, ENABLE); // 使能FLASH时钟
FLASH_Unlock(); // 解锁FLASH
```
其中,RCC_APB2PeriphClockCmd函数用于开启相应的外设时钟,FLASH_Unlock函数用于解锁Flash。
接着,我们需要设置数据备份区域。使用时需要注意,每个数据备份区域的大小为1K字节,第一个区域默认为Bootloader程序,通常情况下不做修改。代码如下:
```
#define FLASH_USER_START_ADDR ADDR_FLASH_PAGE_252 // 用户存储区起始地址
#define FLASH_USER_END_ADDR ADDR_FLASH_PAGE_255 // 用户存储区结束地址
#define FLASH_PAGE_SIZE 1024 // FLASH页面大小
uint32_t read_data[1024]; // Flash读取数据缓冲区
// 配置数据备份区域
FLASH_ErasePage(FLASH_USER_START_ADDR); // 擦除指定地址所在的页面
```
其中,ADDR_FLASH_PAGE_252指向第一个数据备份区域的起始地址,ADDR_FLASH_PAGE_255指向最后一个数据备份区域的结束地址。FLASH_ErasePage函数用于擦除指定地址所在的页面。
然后,我们可以进行Flash的写入操作了。Flash写入操作需要首先进行数据填充,随后进行Flash写入,最后进行读取验证。代码如下:
```
// 填充Flash写入数据
uint32_t write_data[1024];
for (int i = 0; i < FLASH_PAGE_SIZE; i++) {
write_data[i] = 0x55aa55aa;
}
// 写入数据到Flash
FLASH_ProgramWord((uint32_t)FLASH_USER_START_ADDR, write_data[0]);
FLASH_ProgramWord((uint32_t)FLASH_USER_START_ADDR + 4, write_data[1]);
// 读取Flash数据并比较校验
for (int i = 0; i < FLASH_PAGE_SIZE; i++) {
read_data[i] = *(__IO uint32_t*)(FLASH_USER_START_ADDR + i * 4);
}
for (int i = 0; i < FLASH_PAGE_SIZE; i++) {
if (read_data[i] != write_data[i]) {
// 写入失败
}
}
```
其中,FLASH_ProgramWord函数用于进行Flash单个字(32位)的写入操作。最后,我们需要进行Flash的锁定操作。代码如下:
```
FLASH_Lock(); // 锁定FLASH
```
通过以上步骤,我们可以完成STM32F103C8T6 Flash读写操作。值得注意的是,在进行Flash读写时,需要对代码进行优化和灵活性处理,以满足实际的应用需求。