FLASH_TYPEERASE_SECTORS

FLASH_TYPEERASE_SECTORS是一个用于擦除扇区的参数。在提供的代码中，这个参数被用于指定需要擦除的扇区的类型。具体来说，它是一个Flash擦除功能的类型，用于告诉系统擦除操作应该是针对扇区而不是整个芯片。这个参数通常与其他参数一起使用，如指定要擦除的扇区、要擦除的扇区数量等。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span><span class="em">4</span>

相关问题

EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_1; EraseInitStruct.NbSectors = 1; EraseInitStruct.Sector = FLASH_SECTOR_3; EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS; EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;作用

这段代码是用来进行 Flash 擦除操作的，其中定义了一个名为 EraseInitStruct 的结构体，包含了需要擦除的 Flash 区域相关的信息。具体的作用如下：

- EraseInitStruct.Banks：需要擦除的 Flash 区域所在的 Flash Bank，这里设置为 FLASH_BANK_1。
- EraseInitStruct.NbSectors：需要擦除的扇区数量，这里设置为 1，表示只擦除一个扇区。
- EraseInitStruct.Sector：需要擦除的 Flash 扇区号，这里设置为 FLASH_SECTOR_3，表示需要擦除扇区 3。
- EraseInitStruct.TypeErase：擦除操作类型，这里设置为 FLASH_TYPEERASE_SECTORS，表示按扇区进行擦除。
- EraseInitStruct.VoltageRange：Flash 工作电压范围，这里设置为 FLASH_VOLTAGE_RANGE_3，表示工作电压范围为 2.7V~3.6V。

总的来说，这段代码的作用是擦除 Flash 中的一个扇区，以便之后可以将新的数据写入到这个扇区中。

stm32g070xx_读写内部flash驱动

STM32G070XX是一种基于ARM Cortex-M0+内核的单片机芯片。该芯片具有内置的flash存储器用于存储程序和数据的存储。

在读写内部flash方面，需要使用特定的驱动程序。首先，需要在程序的开头声明使用的flash地址，例如：

#define FLASH_BASEADDR ((uint32_t)0x08000000)

然后，需要引用STM32G070XX的flash头文件，该头文件提供了一系列API用于读写flash。

在写入flash时，需要先将flash解锁，这可以通过以下命令完成：

HAL_FLASH_Unlock();

接下来，需要为要写入的数据设置相应的变量，然后调用以下API将数据写入flash：

HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, FLASH_BASEADDR + 0x10, DataVar);

在读取flash时，可以使用以下命令从flash中读取数据：

DataVar =(*(__IO uint32_t*)FLASH_BASEADDR);

需要注意的是，在读取flash时应该避免在flash写入期间访问它，因为这可能会导致数据损坏。

此外，还可以使用以下API来擦除flash中的数据：

HAL_FLASH_Erase(FLASH_TYPEERASE_SECTORS, FLASH_BASEADDR, FLASH_SECTOR_0, VOLTAGE_RANGE_3);

使用这些API可以轻松地对STM32G070XX的内部flash进行读写操作。