jedec jesd235d:2021 高带宽内存 (hbm) dram

### 回答1：
JEDEC是一个全球半导体技术标准组织，他们发布的JESD235D:2021是关于高带宽内存（HBM）DRAM的标准。

HBM是一种先进的内存技术，它通过将DRAM芯片垂直堆叠在一起来提供高带宽和高密度。这种堆叠式结构允许多个DRAM芯片通过微细间隔的TSV（Through-Silicon Via）互连来相互通信和共享数据。

HBM是为高性能计算和图形处理等应用而设计的，它在相同的面积内提供了远远超过传统DDR（双数据速率）内存的带宽。这种高带宽是通过多通道设计实现的，每个通道可以同时传输数据，从而显著提高数据传输速率。

JESD235D:2021标准规定了HBM接口的电气规范、物理尺寸和时序要求。其中包括必要的信号和电源引脚定义、时钟要求、传输速率和通道配置等。

通过遵循JESD235D:2021标准，半导体厂商可以设计和生产符合HBM标准的DRAM芯片和模块。这样，各种计算设备和图形处理器可以使用HBM内存，以取得更高的性能和卓越的数据处理能力。

综上所述，JESD235D:2021标准对于HBM技术的发展和应用具有重要意义。它确保了HBM内存的互操作性和一致性，并为半导体行业提供了一个共同的框架，以推动更高性能的内存解决方案的发展。

### 回答2：
Jedec JESD235D:2021是关于高带宽内存（High Bandwidth Memory，HBM）DRAM的一项标准。HBM是一种新型的内存技术，它旨在提供更高的内存带宽和更低的功耗。

HBM的设计与传统的DRAM有很大的不同。它采用堆叠式封装技术，将多个DRAM芯片堆叠在一起，并通过高密度的硅互连通道进行连接。这种设计可以实现更高的内存集成度和更短的信号传输距离，从而提供更高的带宽和更低的延迟。

HBM的内存通道结构也与传统DRAM不同。它将DRAM芯片划分为多个通道，每个通道配备自己的控制信号。这种设计可以实现并行访问多个通道，提高数据吞吐量，并支持更多的内存带宽。

Jedec JESD235D:2021标准为HBM提供了一些规范和指导。它定义了HBM的物理特性、电气特性和时序要求，以确保不同供应商的HBM产品在互操作性方面具有一致性。

HBM已经在高性能计算、数据中心和图形应用中得到了广泛采用。它可以为处理器和图形处理器提供高带宽的数据访问，加快计算速度，提高系统的性能。同时，HBM的低功耗特性也有助于降低整个系统的能耗。

总而言之，Jedec JESD235D:2021标准为HBM提供了一些规范和指导，使其成为高性能计算和数据中心领域的关键技术。通过提供更高的内存带宽和更低的功耗，HBM有助于提高计算和图形处理的效率，推动科技行业的发展。