要求用256K×16位SRAM芯片设计1024K×32位的存储器。SRAM芯片有两个控制端：当CS有效时，该片选中。当W/R=1时执行读操作，当W/R=0时执行写操作

首先，我们需要计算所需的SRAM芯片数量。由于每个SRAM芯片是256K×16位，我们需要4个SRAM芯片才能实现1024K×32位的存储器。

接下来，我们需要设计一个控制电路来控制这些SRAM芯片。该电路应该包括以下信号：

- 地址线：用于选择要读取或写入的存储器单元。
- 数据线：用于传输读取或写入的数据。
- CS（片选）信号：用于选择要操作的SRAM芯片。
- W/R（读/写）信号：用于指示是读取还是写入操作。

根据题目要求，我们需要将32位数据存储在两个相邻的16位SRAM芯片中。因此，我们需要将地址线的最低位用于选择要存储的SRAM芯片。例如，如果要存储地址为0x00000000的32位数据，我们需要将其存储在地址为0x00000000和0x00010000的两个SRAM芯片中。

控制电路应该包括以下步骤：

1. 读取地址线的最低位，确定要操作的SRAM芯片。
2. 将地址线的高位传输到SRAM芯片。
3. 如果是读取操作，将CS信号置为低电平，将W/R信号置为高电平，然后等待SRAM芯片输出数据到数据线上。
4. 如果是写入操作，将CS信号置为低电平，将W/R信号置为低电平，将要写入的数据传输到数据线上，然后等待SRAM芯片写入数据。
5. 将CS信号置为高电平，完成操作。

需要注意的是，由于SRAM芯片的读写速度很快，控制电路需要保证能够及时响应读写操作，以免出现数据丢失或错误的情况。

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要求用256k x 16位sram芯片设计1024k x 32位的存储器。sram芯片有两个控制端:当cs

为高电平时，表示片选有效，可以读写数据；当we为低电平时，表示写操作有效。根据题目要求，我们需要设计一个1024k x 32位的存储器，可以使用4个256k x 16位的SRAM芯片来实现。

首先，我们将4个SRAM芯片连接在一起，将它们的地址引脚和数据引脚连接起来。然后，将它们的片选CS引脚接到一个逻辑电路上，当对应的地址范围被选中时，逻辑电路会输出高电平，从而选择对应的SRAM芯片。

接下来，我们设计控制逻辑电路来控制写入和读取操作。当进行写操作时，我们将32位的数据分为两个16位的数据，分别写入两个选中的SRAM芯片里。

当进行读取操作时，我们将两个选中的SRAM芯片的输出数据连接到一个数据复用器上，通过控制复用器选择不同的输入端口来获取32位的数据。

此外，在内部控制逻辑电路中，当进行读操作时，需要将WE引脚设置为高电平，表示写操作无效。这样可以防止在读取操作中意外地将数据写入到SRAM芯片中。

综上所述，我们可以通过将4个256k x 16位的SRAM芯片连接起来，设计一个1024k x 32位的存储器。通过控制片选CS引脚和写操作使能WE引脚，我们可以实现对数据的读写操作。在读取操作中，需要将数据复用器设计为能够选择对应的SRAM芯片输出数据。

有一个1024Kx32 位的存储器，由 128Kx8 位的 DRAM 芯片构成。问: 5.要求用 256Kx16 位SRAM 芯片设计1024Kx32位的存储器。SRAM 芯片有两个控制端:当CS有 免其缺点，从灵谢效时，该片选中。当W/R=1时执行读操作，当W/R=0时执行写操作。

为了设计1024Kx32位的存储器，需要使用4个256Kx16位的SRAM芯片，其中两个用于存储低16位数据，另外两个用于存储高16位数据。具体设计方案如下：

1. 将地址线分为两部分，前10位用于选择行地址，后5位用于选择列地址（32位数据需要两个16位的列地址）。

2. 将低16位数据和高16位数据分别存储在两个256Kx16位的SRAM芯片中。每个SRAM芯片能够存储256Kx16位=4M位的数据，因此可以存储512Kx16位的数据，正好满足存储低16位和高16位数据的需求。

3. 在读取数据时，先通过地址线选择行地址和列地址，使对应的SRAM芯片被选中。接着将W/R设置为1，执行读操作，读取对应的16位数据。由于需要读取两次，因此需要将读取的低16位数据和高16位数据组合起来，形成32位的数据。

4. 在写入数据时，同样需要通过地址线选择行地址和列地址，使对应的SRAM芯片被选中。接着将W/R设置为0，执行写操作，将32位数据分为低16位和高16位写入对应的SRAM芯片中。

需要注意的是，由于使用的是SRAM芯片，它们的速度比DRAM芯片快，因此需要考虑如何保证存储器的整体速度以及数据的一致性。可以采用流水线等技术来提高速度，同时需要加上适当的同步电路来保证数据的一致性。