用64K×1位的DRAM芯片构成1M×8位的存储器,若采用异步刷新,若每行刷新间隔不超过2ms,则产生刷新信号的间隔是多少时间?若采用集中刷新方式,则存储器刷新一遍最少用多少个读写周期?CPU的死时间为多少?
时间: 2024-04-01 09:38:16 浏览: 197
对于64K×1位的DRAM芯片,一共需要8个这样的芯片构成1M×8位的存储器。
如果采用异步刷新方式,每个DRAM芯片需要刷新一次,而每个DRAM芯片的刷新周期为2ms/64K = 31.25us。因此,刷新信号的间隔为31.25us × 8 = 250us。
如果采用集中刷新方式,需要对8个DRAM芯片进行刷新。每个DRAM芯片的刷新周期为2ms/64K = 31.25us,因此存储器刷新一遍最少用8个读写周期,即8 × 31.25us = 250us。
CPU的死时间是指CPU不能访问存储器的时间。在异步刷新方式下,由于刷新信号的间隔为250us,因此CPU的死时间最多为250us。在集中刷新方式下,存储器的读写周期为31.25us,因此CPU的死时间最多为8 × 31.25us = 250us。
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