本文主要分析了S3C2440处理器中,如何连接DDR、NORFlash和NANDFlash,特别是对S3C2440与DDR内存的地址和数据线连接进行了深入探讨。
S3C2440是一款基于ARM920T内核的微处理器,广泛用于嵌入式系统设计。它提供了27根地址线ADDR[26:0],8根片选信号ngcs0-ngcs7,这些信号用于选择不同的存储设备,如bank0至bank7对应不同的存储银行。S3C2440的总寻址空间可达1GB,这是通过27根地址线实现的,即2^27位,转换为字节数为128MB * 8 = 1GB。
在DDR SDRAM的连接中,由于市面上32位宽度的单片SDRAM不常见,通常采用2片16位的SDRAM扩展成32位。例如,选用的是HY57V561620F,这是一种4Mbit(512K x 32位)的SDRAM,具有4个bank,总计32MB存储容量。SDRAM的寻址过程涉及行地址、列地址和bank地址,这3个部分共同确定一个具体的存储单元。行地址由13根线(RA0-RA12)决定,列地址由9根线(CA0-CA8)决定,bank地址由2根线(BA0-BA1)决定。在读写操作中,地址分两次输入,行地址由/RAS信号锁存,列地址由/CAS信号锁存。
在连接S3C2440的地址线时,需要注意的是,DDR的A0引脚接到了S3C2440的ADDR2,而非ADDR0。这是因为CPU的寻址是以字节为单位,而两片HY57V561620F组成的32位SDRAM每个存储单元包含4个字节。当DDR的A1:A0=01时,CPU的ADDR3:ADDR2也应为01,这样保证了32位数据的正确传输。如果只使用1片16位的SDRAM,数据线是16位,那么地址线的连接方式会有所不同。
NORFlash和NANDFlash的连接则涉及到它们各自的特性。NORFlash通常直接映射到地址空间,提供快速的代码执行能力,而NANDFlash则通常用于大容量的数据存储,其地址线和数据线的连接方式与DDR不同,需要根据芯片的具体规格来配置。
S3C2440的内存系统设计需要考虑多种因素,包括地址线的复用、片选信号的选择以及不同存储设备的特性。正确理解和配置这些连接对于确保嵌入式系统的存储性能至关重要。